门替换相关论文
集成电路制造工艺进入纳米级后，负偏置温度不稳定性(Negative Bias Temperature Instability，NBTI)效应成为影响数字集成电路可靠性......
为解决现有针对门替换方法的关键门识别方法中存在不可防护的关键门问题,文章提出一种考虑可防护性的关键门识别方法。首先利用现......
为缓解负偏置温度不稳定性（negativebiastemperatureinstability，NBTI）效应引起的电路老化，提高电路可靠性，提出一种在电路待机状态下应......
纳米工艺水平下,负偏置温度不稳定性（negative bias temperature instability,NBTI）成为影响集成电路可靠性的关键性因素。NBTI效应......
针对现有选取方法直接以输入向量控制（IVC）产生电路最小时延为目标,不能有效地发挥门替换（GR）技术优势的问题,提出一种输入控制向量选......
随着集成电路的工艺水平进入到纳米层级时,器件的诸多负面效应逐渐突显出来,其中负偏置温度不稳定性(Negative Bias Temperature I......
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随着超大规模集成电路工艺技术的发展，电路集成度和复杂度不断提高，电路老化成为电路可靠性和性能的瓶颈，给电路的测试和可靠性带来了......
随着晶体管特征尺寸的不断减小,威胁数字电路可靠性的一个重要因素是负偏置温度不稳定性。为了缓解NBTI效应对电路产生的老化影响,......
随着超大规模集成电路工艺尺寸不断地缩小,电路的性能得到很大的提高,但是同时电路的集成度和复杂度有所提高,由此引起的电路老化......
在纳米工艺水平下,负偏置温度不稳定性(Negative Bias Temperature Instability, NBTI)效应引起的电路老化成为威胁数字集成电路可......
随着科学技术的进步,晶体管尺寸不断逼近物力极限,使得NBTI((Negative Bias Temperature Instability))效应成为影响集成电路老化......
45 nm工艺下,负偏置温度不稳定性（negative bias temperature instability,NBTI）效应是限制电路的性能的首要因素。为了缓解NBTI效应......
