硅外延层相关论文
硅外延层是高端电子产品中常用的技术,主要是通过化学气相沉淀法在硅抛光过程中,在衬底位置生长的一层单晶硅薄膜,此类薄膜可根据......
采用一种新的方法制备掺Er多孔硅.首先通过分子束外延法生长Er,O共掺的硅外延层,然后通过常规的电化学阳极腐蚀法将外延层制备成掺......
在现代半导体制造工艺体系之中,外延工艺是一种应用范围极广的工艺,硅片的最底层一般为衬底硅,衬底部位的物质生长之后,会形成一种......
为获得亚微米级的薄硅外延层,从而提高硅器件的工作频率,利用自行研制的一台新型超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)系统生长用于高频......
采用超高真空化学气相沉积技术，在n型重掺Si衬底上生长了轻掺的薄硅外延层，利用扩展电阻和原子力显微分析对外延层进行了检验。结果......
本文通过理论分析和实验研究确定:在卧式反应室中 SiCl_4—H_2还原法生长硅外延层的过程中,硅片上面滞流层厚度一致性差异是导致硅......
VDMOS器件作为新一代功率集成电力电子器件之一,应用领域包含常见的家庭消费类电子设备、汽车电子系统、智能电网,以及各类工业设......
作为沟槽式肖特基芯片的关键支撑层,硅外延层的性质对芯片性能构成重要影响。系统探索了新式高速外延生长工艺制备硅外延层的方法......
本文采用化学气相沉积（CVD）法在单晶硅衬底上沉积硅外延层,同时研究了沉积工艺对外延层电阻率和厚度的影响规律。研究发现采用H2气变......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
随着肖特基势垒二极管对反向击穿电压一致性指标要求的进一步严格,对所需重掺衬底的硅外延层厚度和电阻率参数的均匀性指标提出了......
硅外延层是在硅单晶抛光衬底上采用化学气相沉积方法生长的一层单晶硅薄膜。本实验以150 mm的大尺寸硅抛光片为衬底生长高均匀性外......
为适应肖特基二极管降低正向导通电压和制造成本的需要,采用150mm的掺P硅抛光片为衬底,通过化学气相沉积制备高阻硅外延层。利用傅......
200mm硅外延片是肖特基器件的关键支撑材料,但是大尺寸硅外延层生长面临反应面积大、易受热流场扰动影响的问题,导致采用传统外延......
随着现代电子技术的飞速发展,电子元件的精细化程度也不断提高,加工工艺水平直接决定了电子元件的性能。本文结合平板式外延炉大尺......
文章采用化学气相沉积CVD方法[1],在EPI-PRO5000型平板式外延炉上,通过综合采取二次本征法、变流吹扫及低温外延沉积等工艺方法和......
