通过对P-N结隔离和SOI全介质隔离技术的对比研究，提出了一种适用于100V以内的单晶硅深槽介质隔离工艺，隔离电压100V时，相邻隔离岛......

对HBr/He反应离子蚀蚀硅深槽进行了实验分析.介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响刻蚀效果的几个主要工艺因素.通过扫描电子显微镜等......

为解决用光助电化学刻蚀法制作大面积高深宽比硅深槽过程中出现均匀性差的问题,在分析了传统光助电化学刻蚀装置中存在的不足的基......

采用一种新型的刻蚀气体——ＨＢｒ＋Ｈｅ作为反应离子刻蚀气体，用ＳｉＯ２作为刻硅槽的掩膜，在８～１３Ω·ｃｍＰ型（１００）硅片上，刻出槽宽１．２μｍ，槽深０．８μｍ的硅深槽，并对ＨＢｒ反应离子刻......