高深宽比相关论文
针对微电子机械系统（MEMS）行业对3D加工日益增长的需求，提出了一种结合法拉第笼和倾斜衬底支架，利用改进的BOSCH工艺进行任意角度深硅......
相变存储器（PCM）由于其操作功耗低、读写速度快、非易失性、高密度、以及与CMOS工艺兼容等优点,被认为是最有潜力的下一代存储器之一......
针对孔径(100～200)μm高深宽比微细孔电解加工中,电极侧壁绝缘层在电解液冲击和气泡撕裂中易损伤/脱落等问题,提出一种基于丙烯酸环......
本文针对电火花加工高深宽比微细结构时放电间隙小、加工产物不易排除的技术难题,在分析电蚀产物影响加工稳定性的基础上,基于脉冲......
利用聚焦离子束技术加工微结构时,由于溅射过程的再沉积效应,难以获得较为陡直的侧壁,对于高深宽比微结构尤甚.为优化聚焦离子束的......
为了将平面金属膜紧密耦合到纳米光栅形成的表面等离子体共振传感器,以提高灵敏度,以及利用亚微米光栅调整共振反射波长,需要制备......
本文主要介绍了通过步进式光刻、反相剥离和F基等离子体刻蚀工艺在晶元级Si衬底上制备SiO_2图形的过程,在6 in(15.24 cm)Si衬底上......
随着半导体工业的发展,上世纪九十年代在深亚微米半导体工艺中开始应用的铜互连线技术取代了传统的铝布线工艺。在铜的电沉积过程......
介绍屏蔽模板随动式微细电铸技术，该技术利用屏蔽模板动态的限制电沉积的区域，利用低深宽比的屏蔽模板加工高深宽比的金属微结构，并且......
PDMS(Polydimethylsiloxane,聚二甲基硅氧烷)微小流路的微加工技术,由于具有加工周期短,加工成本低,可进行批量生産,易获得高深宽......
本文提出了一种在氧化铟锡(ITO)玻璃上加工高深宽比SU-8微结构的方法,使用设备简单,加工成本低.消除了厚光胶层表面不平在曝光时的......
高能束流技术在大型、厚壁和薄壁结构的焊接中各有何特点?给工艺带来了怎样的挑战?rn巩水利:高能束流焊接技术在大型、厚壁和薄壁......
本文对一种新的负性近紫外光刻胶SU-8的光刻工艺进行了详细研究.SU-8是一种基于环氧树脂的光刻胶,专为要求超厚和高深宽比的MEMS应......
ＤＥＭ技术（Ｄｅｅｐｅｔｃｈｉｎｇ，Ｅｌｅｃｔｒｏｆｏｒｍｉｎｇ，Ｍｉｃｒｏｒｅｐｌｉｃａｔｉｏｎ）是继硅加工技术和ＬＩＧＡ技术发展起来的一种全新的非硅三维微加工新技术，该技术吸收了体硅微加工技术和ＬＩＧＡ技术的工艺优点与ＬＩＧＡ技术相比，它具......
为了完成有源芯片上小孔径、高深宽比硅通孔(TSV)的制作,研究了基于电感耦合等离子体(ICP)技术的SiO2微孔深刻蚀工艺,实现了以C4 F......
近年来,原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition,ALD)由于其薄膜厚度纳米级精确可控、大面积沉积均匀性以及良好的三维台阶覆盖性......
SU-8是一种负性近紫外厚光刻胶,它光敏性好,深宽比大,侧壁陡直,抗腐蚀,适用于微机电系统,UV-LIGA和其他厚膜超厚膜应用.该论文研究......
研究工作的主要内容分以下几部分:(1)基于SU-8胶的UV-LIGA技术研究:◆SU-8胶的光刻技术研究 该文从SU-8胶与基底的浸润性、基底表......
有机玻璃(PMMA)高分子聚合物是MEMS和MOEMS制备工艺中的重要材料,它的刻蚀效果直接影响到元器件的质量.研究PMMA刻蚀有着实际的应......
本文主要介绍了通过步进式光刻、反相剥离和F基等离子体刻蚀工艺在晶元级Si衬底上制备SiO2图形的过程,在6 in(15．24 cm) Si衬底上实......
为了提高微驱动器的性能,提出了一种在氧化铟锡(ITO)玻璃上加工高深宽比SU-8微结构的方法.在导电玻璃的ITO层上涂覆一薄层AZ-4620......
高深宽比结构是提高微器件性能的重要环节之一。利用RIE深刻技术加工具有高深宽比结构的图形 ,方法简单 :它不象LIGA技术那样 ,需......
针对深反应离子刻蚀(DRIE)工艺加工高深宽比梳齿电容存在侧壁倾斜角的情况,分析了该倾斜角对梳齿谐振器频率的影响。为了使设计的......
针对ICP刻蚀工艺进行了深入研究,探讨了气体流量、射频功率和工作室气压设定值等工艺参数对刻蚀效果的影响,最终在硅基底上获得了......
对基于SU-8胶的UV-LIGA技术进行了工艺优化,研究了光源波长和曝光时间对SU-8胶成型的影响.结果表明,光刻胶表面线宽变化随曝光时间......
硅的高深宽比刻蚀技术是MEMS领域中的一项关键工艺.在硅片上形成高深宽比沟槽并拥有垂直侧壁结构是现在先进MEMS器件的一个决定性......
微细电火花加工和微细电解加工是当前微细加工领域的研究热点,利用微细群电极进行微细加工可显著提高加工效率。研究了UV-LIGA制作......
由于石英晶体的刻蚀速率小,要实现石英晶体的高深宽比刻蚀,常用的光刻胶或金属掩膜不能满足工艺要求。提出使用双重掩蔽层的方法实......
针对金属微结构器件制造难的问题,提出了活动屏蔽膜板高深宽比微细电铸技术,通过屏蔽膜板动态地限制电沉积的区域,可以用低深宽比......
将以光刻胶作为有机前驱物的热解成碳工艺与厚胶光刻工艺结合后,形成一种新的用于制备碳微结构的"C-MEMS(carbon-MEMS)"工艺,它流......
本研究利用电磁感应加热技术结合冷却水以达到快速模具温度控制并应用于微结构注塑成型制程。实验结果成功利用快速模具温度控制技......
为了加工具有高深宽比的器件,采用能量连续递减近似模型,运用蒙特卡罗方法分析高能电子束曝光领域的电子散射轨迹及背散射电子对曝......
以SU—8作为结构材料,采用紫外光刻工艺,尤以斜曝光工艺为主,制造一种新型的、小型化的、低成本的、三维的、高深宽比的微流沟道,......
为了提高微驱动器的性能，提出了一种在氧化铟锡（ITO）玻璃上加工高深宽比SU-8微结构的方法．在导电玻璃的ITO层上涂覆一薄层AZ-4620正光......
针对微机电系统微执行器输出位移小,不能满足实际工作需要的问题,设计了一种微型柔性杠杆位移放大机构,并用有限元方法对放大倍数......
SU-8胶是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶。它适于制作超厚、高深宽比的MEMS微结构。为电铸造出金属微结构，通常需要采用金属......
对基于SU-8胶的UV-LIGA技术进行了工艺优化,研究了光源波长和曝光时间对SU-8胶成型的影响.结果表明,光刻胶表面线宽变化随曝光时间......
为了在平面微电机有限大尺寸的定子上制作高深宽比结构的绕组线圈,对高深宽比微结构的制作工艺进行了研究,综合比较各方面因素,从......
为了提高太阳电池的转换效果,降低反射光栅的偏振敏感性,开发了一种新的抗反射结构的微细加工技术。首先用X光光刻在PMMA光刻胶上......
基于MEMS深刻蚀技术和微电镀工艺，介绍了一种用于核磁共振成像（MRI）系统的微型射频（RF）接收线圈的设计与微加工制作方法，研制出了线圈内......
近日，Alchimer，SA宣布与法国研究机构CEA—Leti达成协作合约，以评估和实施Alchimer为300mm晶圆大批量生产的湿式沉积工艺。该专案将为......
今天,应用材料公司宣布推出全新的Ap-plied Centura Avatar刻蚀系统。该系统主要针对高深宽比刻蚀应用,如制造新兴的三维NAND存储......
MEMS微针是目前的一个研究热点,是实现无痛给药、抽血和生化检验集成化的关键.本文探讨了MEMS微针的研究进展,给出了MEMS微针的研......
