高深宽比相关论文
针对微电子机械系统（MEMS）行业对3D加工日益增长的需求，提出了一种结合法拉第笼和倾斜衬底支架，利用改进的BOSCH工艺进行任意角度深硅......
相变存储器（PCM）由于其操作功耗低、读写速度快、非易失性、高密度、以及与CMOS工艺兼容等优点,被认为是最有潜力的下一代存储器之一......
为了将平面金属膜紧密耦合到纳米光栅形成的表面等离子体共振传感器,以提高灵敏度,以及利用亚微米光栅调整共振反射波长,需要制备......
随着半导体工业的发展,上世纪九十年代在深亚微米半导体工艺中开始应用的铜互连线技术取代了传统的铝布线工艺。在铜的电沉积过程......
随着微纳米技术的发展，聚合物材料的微型元件被广泛应用于生物医疗、电子通信、航空航天等领域。目前，加工微型元件的方法多种多样，但......
近年来,原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition,ALD)由于其薄膜厚度纳米级精确可控、大面积沉积均匀性以及良好的三维台阶覆盖性......
为了提高微驱动器的性能,提出了一种在氧化铟锡(ITO)玻璃上加工高深宽比SU-8微结构的方法.在导电玻璃的ITO层上涂覆一薄层AZ-4620......
高深宽比结构是提高微器件性能的重要环节之一。利用RIE深刻技术加工具有高深宽比结构的图形 ,方法简单 :它不象LIGA技术那样 ,需......
针对深反应离子刻蚀(DRIE)工艺加工高深宽比梳齿电容存在侧壁倾斜角的情况,分析了该倾斜角对梳齿谐振器频率的影响。为了使设计的......
针对ICP刻蚀工艺进行了深入研究,探讨了气体流量、射频功率和工作室气压设定值等工艺参数对刻蚀效果的影响,最终在硅基底上获得了......
DEM技术 (Deepetching ,ElectroformingandMicroreplication )是继硅微加工技术和LIGA技术发展起来的一种全新的非硅三维微加工技......
对基于SU-8胶的UV-LIGA技术进行了工艺优化,研究了光源波长和曝光时间对SU-8胶成型的影响.结果表明,光刻胶表面线宽变化随曝光时间......
硅的高深宽比刻蚀技术是MEMS领域中的一项关键工艺.在硅片上形成高深宽比沟槽并拥有垂直侧壁结构是现在先进MEMS器件的一个决定性......
由于石英晶体的刻蚀速率小,要实现石英晶体的高深宽比刻蚀,常用的光刻胶或金属掩膜不能满足工艺要求。提出使用双重掩蔽层的方法实......
针对金属微结构器件制造难的问题,提出了活动屏蔽膜板高深宽比微细电铸技术,通过屏蔽膜板动态地限制电沉积的区域,可以用低深宽比......
将以光刻胶作为有机前驱物的热解成碳工艺与厚胶光刻工艺结合后,形成一种新的用于制备碳微结构的"C-MEMS(carbon-MEMS)"工艺,它流......
为了加工具有高深宽比的器件,采用能量连续递减近似模型,运用蒙特卡罗方法分析高能电子束曝光领域的电子散射轨迹及背散射电子对曝......
以SU—8作为结构材料,采用紫外光刻工艺,尤以斜曝光工艺为主,制造一种新型的、小型化的、低成本的、三维的、高深宽比的微流沟道,......
针对微机电系统微执行器输出位移小,不能满足实际工作需要的问题,设计了一种微型柔性杠杆位移放大机构,并用有限元方法对放大倍数......
为了在平面微电机有限大尺寸的定子上制作高深宽比结构的绕组线圈,对高深宽比微结构的制作工艺进行了研究,综合比较各方面因素,从......
为了提高太阳电池的转换效果,降低反射光栅的偏振敏感性,开发了一种新的抗反射结构的微细加工技术。首先用X光光刻在PMMA光刻胶上......
基于MEMS深刻蚀技术和微电镀工艺，介绍了一种用于核磁共振成像（MRI）系统的微型射频（RF）接收线圈的设计与微加工制作方法，研制出了线圈内......
MEMS微针是目前的一个研究热点,是实现无痛给药、抽血和生化检验集成化的关键.本文探讨了MEMS微针的研究进展,给出了MEMS微针的研......
利用大面积硅片制作X射线光栅和硅基微通道板等都涉及硅的热氧化工艺。热氧化使具有高深宽比微结构的大面积硅片产生形变,严重影响......
基于电化学沉积技术在金属基底上制作了一种新型的无源MEMS惯性开关。针对高深宽比、细线宽微电铸用光刻胶模具制作过程中,由于SU-......
鉴于微机电系统（MEMS）承载的特殊功能，其制造技术成为当前研究的热点。微细电铸以其固有的诸多技术优势，成为制造复杂结构MEMS零部件的......
针对电火花加工高深宽比微细结构时放电间隙小、加工产物不易排除的技术难题,在分析电火花加工电蚀产物稳定性的理论基础上,结合脉......
描述了一种新的亚波长光栅的微细加工技术，即X光光刻得到相应的亚微米级的线宽图形，再利用显影技术获得了高深宽比的立体亚波长光栅．......
在轴向磁化永磁电机设计中,为研究尺寸效应对其性能的影响,采用基于单元边的有限元方法对这种双转子电机的转矩进行了仿真计算,得......
为研究尺寸效应对轴向磁化永磁电机性能的影响,采用有限元方法对这种双转子电机的磁场进行了仿真计算,得出了轴向磁化永磁电机转子......
具有超深或高深宽（径）比（HAR）微结构特征的高质量电铸，是制造金属微机械器件和半导体通孔金属化的技术关键之一。开发了一种新的电铸技......
SU-8系列负性光刻胶是一种新品光刻胶,它具有良好的光敏性和高深宽比,适合于微机电系统,UV-LIGA和其它厚膜、超厚膜应用[1,2].介绍......
在轴向磁化永磁电机设计中，为研究尺寸效应对其性能的影响，采用基于单元边的有限元方法对这种双转子电机的转矩进行了仿真计算，得出了......
高开孔率、大厚度金属精细网板的制造是网板业界的技术难题。分析了现有的精细金属网板制造工艺的优缺点,并提出采用基于SU-8光刻......
为解决用光助电化学刻蚀法制作大面积高深宽比硅深槽过程中出现均匀性差的问题,在分析了传统光助电化学刻蚀装置中存在的不足的基......
微通道是微流控芯片的核心,典型微通道加工方法难以获得高的深宽比。本文提供一种具有高深宽比的制作方法:多层熔体近场静电纺丝。......
在微机械领域常需用到有一定厚度、高深宽比的微金属结构，准ＬＩＧＡ工艺是制作这种微结构的一种简易、方便的手段。准ＬＩＧＡ工艺的工艺过程与ＬＩＧＡ工艺......
硅的高深宽比刻蚀技术是MEMS领域中的一项关键工艺。在硅片上形成高深宽比沟槽并拥有垂直侧壁结构是现在先进MEMS器件的一个决定性......
以微机电系统(MEMS, Micro Electro Mechanical System)器件可拆卸安装和固定为例的多种潜在应用(如爬壁机器人、微操作、微装配等......
在微电子和微机电系统设计与制造工艺中,目前普遍采用了高深宽比的深沟槽结构。随着沟槽尺寸不断缩小且沟槽剖面形貌更为复杂,监测......
高深宽比微纳结构目前在生物传感器、三维微型电池、光子晶体、三维集成电路金属互连等领域中展现出巨大的潜在应用价值。例如,基......
针对当前微纳米测量中存在的微结构跨尺度、高精度测量及高深宽比结构多参数表征问题,基于纳米测量机和微接触测头构建了纳米坐标......
高开孔率、大厚度金属精细网板的制造是网板业界的技术难题。分析了现有的精细金属网板制造工艺的优缺点，并提出采用基于SU-8光刻胶......
基于双面集成微结构薄片元件在集成光学成像、光束整形等方面的应用日益普及,针对其中一些一体化、高深宽比结构在制作方面的难点......
