碳化硅材料相关论文
近日,我国自主研制的又一款4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世。据报道,该碳化硅项目由是山东天岳研制而成的。中国电子材料行业......
近年来用有机硅化合物作粘结剂制备碳化硅、氮化硅等难烧结物质的烧结体的工作已引起人们的广泛兴趣,对用聚碳硅烷作粘结剂制备碳......
全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社宣布开发出了肖特基势垒二极管(SBD)RJS6005TDPP,该器件采用了碳化硅材料——这......
市面上一般有三种材料可作为衬底:蓝宝石(A12O3)、硅(Si)、碳化硅(Sic)。其中蓝宝石是使用最多的衬底材料,具有生产技术成熟、器件......
空间光学技术的迅猛发展对空间光学系统提出了更高的要求;碳化硅材料以其优秀的物理性质,成为广泛应用的反射镜材料;碳化硅反射镜......
<正>第三代半导体材料将掀起一场怎样的技术革命?我国布局第三代半导体产业将会遇到什么问题?有独到见解和实际工作经验的中国工程......
SiC作为第三代宽禁带半导体材料，具有耐高温、高频和抗辐射等优点，是制作耐高温器件的最佳选择之一。因此，为了实现在高温恶劣环境下......
随着空间光学系统主镜口径的不断增大，对其主镜材料机械物理性能要求越来越高。碳化硅是一种理想的空间反射镜主镜材料，但由于碳化硅......
碳化硅材料是共价键极强的化合物，具有良好的高温性能、电性能、机械性能和化学性能。采用碳化硅材质制备多孔陶瓷，可将碳化硅陶瓷的......
反射镜是太空光学系统的重要组成部分。近年来,碳化硅材料以其优异的性能逐渐成为制备轻量化反射镜的最佳材料。大部分的空间光学......
微波硫化是一种新型的橡胶硫化方式,硫化速度更快,效率更高。目前这种方法并没有在轮胎行业中得到推广,这是因为轮胎中的金属帘线......
4H-SiCMPS是很有前途的半导体功率整流器.该文对4H-SiCMPS的工作机理进行了模拟分析,优化设计了器件结构,并对其功率损耗特性进行......
碳化硅(Si C)是发展高功率、高温和高频器件极具吸引力的宽禁带半导体材料,近年来引起了越来越多的关注。Si C基绝缘栅双极晶体管(......
碳化硅禁带宽、击穿电场大、热导率高、电子饱和漂移速度快，在高温、高频、高辐射环境下有重要的应用前景，4H-SiC双极晶体管越来越受......
近年来，SiC功率半导体器件因其具有极好的电特性和物理性质而成为半导体界争先研究的热点项目之一。论文对目前SiC的多型体中综合性......
为了拓展SiC材料在非紫外光电领域的应用，同时实现SiC大功率电力电子器件的非紫外光光控，本课题组首次提出了在SiC衬底上淀积对非紫......
该文介绍了碳化硅材料的性质及其在锅炉炉拱中应用的节能效果.通过碳化硅炉拱的改造,可延长炉拱的性质,提高锅炉效率,增强煤种的适......
以绿碳化硅、单质硅和炭黑微粉为原料,以聚乙烯基吡咯烷酮（K90）为结合剂,采用注浆工艺制备碳化硅坯体,然后在埋炭（焦炭）保护气氛中分别......
为开发出废弃轮胎的新用途和降低废弃轮胎对环境造成的损失，欧盟自2011年初开始，研究废弃轮胎回收材料循环再利用的新方法。研发团队......
碳化硅(SiC)作为一种新型复合材料以其卓越的性能,正日益广泛地应用于航空、航天领域。碳化硅摆镜是其在航天领域应用的一个典型范......
由两种材料以纳米量级交替沉积形成多层结构时,由于一沉积层的"模板"效应,另一沉积层可以形成非平衡相并在一定的厚度范围内稳定存......
针对碳化硅材料的平面加工需求，提出了一种机械磨削辅助电火花加工的方法。通过设计组合式工具电极和搭建试验系统，采用去离子水冲液......
提出并设计了一种新型的合成SiC微粉的方法-利用反应料导电产生焦耳热供反应顺利进行，并实验合成了微米级的SiC微粉用SEM，XRD和粒度......
随着生产工艺提高以及价格的下降,碳化硅晶片正有可能全面替代硅,而成为今后半导体产业的首选。 俄亥俄州克里夫兰,美国宇......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
<正>一、碳化硅单晶特性以碳化硅(Si C)、氮化镓(Ga N)为代表的宽禁带半导体材料,被称为第3代半导体材料。与第1代、第2代半导体材......
为了满足碳化硅材料部件工程项目需求,开展了SiC材料零件机械加工工艺性能的研究。首先分析了材料性能,接着根据碳化硅材料性能,开......
<正>2011年,泰科天润半导体科技(北京)有限公司(以下简称"泰科天润")成立,成为我国首家实现碳化硅器件量产的企业,不仅填补了国内......
<正> 随着电力工业的发展,发电机的容量和电压等级日益提高,电压等级从10.5千伏升到13.8千伏、15.75千伏甚至20千伏。线棒端部的电......
反射镜厚度、面板厚度及背部筋板宽度是影响反射镜自重变形的3个主要参数。文章利用有限元软件建立大口径双拱型SiC反射镜模型,分......
长期以来,我国从半导体材料到器件再延伸至模块,始终没能迈进世界先进行列。从硅、锗第1代半导体到砷化镓、磷化铟第2代半导体,我......
为满足碳化硅材料的磨削要求,根据碳化硅材料的性能,研究了磨削工艺,并针对磨削中出现的技术难题,采取了油石在线修整的磨削工艺措......
碳化硅是一种新型的机械密封摩擦副材料。本文介绍了碳化硅的制造工艺、物理机械性能以及在机械密封中的应用。......
电力电子技术包括半导体功率器件技术、功率变换技术及控制技术等,但以往的电力电子器件的制成材料都是硅半导体材料,近些年来随着......
氮化硅结合碳化硅耐火材料高温氧化后，其抗折强度有所提高，但经扫描电镜观察，材料断面结构已发生了明显的变化。该材料长时间在氧化气......
SiC market is rOW a realindudsty,not a niche anymore…"一Yole Developpe ment.20112011年,全球碳化硅(SiC)产业的整合和重组......
山东天岳晶体材料有限公司承担的“4英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底材料”项目通过科技成果鉴定。专家认为，山东天岳公司自主研制的4......
