电子束光刻相关论文
窄线宽激光器具有高时间相干性,低相位噪声,在光通信、光传感、光谱学以及测量和检测等领域中具有重要应用。现有半导体激光器具有......
电子束光刻技术（EBL）是一项在半导体和纳米技术领域都起着重要作用的微细加工技术,相比于普通光学光刻技术,其具有着高分辨率、制掩......
窄线宽半导体激光器相比于传统激光器,具有光谱线宽窄以及相干性好的优势,是半导体激光器新兴应用,包括原子钟、医学传感、激光制......
设计合成了一种共价键合光致产酸剂（PAG）的单分子树脂（molecular glass）材料HPS-MSF,该材料具有良好的热稳定性和成膜性。以该单分子树......
超材料指的是一些天然材料所不具备的超长物理性质的人工复合结构或复合材料,它不存在于自然界。它是一种具有亚波长周期性结构的......
偏振成像探测技术为特殊环境下提高对目标的探测能力提供了新的成像手段。根据偏振信息收集方式以及观测成像场景的不同,常用的偏......
在激光等离子体诊断等领域中,以平焦场光栅为核心器件的软X射线光谱仪发挥着重要作用。利用电子束光刻-近场全息法制作的平焦场光......
软X射线平焦场光谱仪具有消像差、平焦场、结构紧凑等特点，广泛应用于同步辐射、强激光等领域。软X射线变间距光栅是平焦场光谱仪的......
针对X射线透射光栅摄谱仪中对高线密度聚焦变栅距光栅的需要,利用电子束光刻技术,研制了X射线透射变栅距光栅。利用变栅距光栅的自......
微纳光学结构制备技术一直是微纳光子学器件发展的技术瓶颈。针对微纳光学结构制备技术向小尺寸、高精度和广泛应用发展的趋势,报......
报道了国内首块用于极紫外投影光刻系统的6inch(1inch=2.54cm)标准极紫外光刻掩模。论述了32nm节点6inch标准极紫外光刻掩模的设计......
研究了一种基于深刻蚀的硅基周期波导一维光子晶体微腔,采用时域有限差分(FDTD)方法对设计的微腔结构进行了模拟分析;讨论了深刻蚀......
电子束曝光技术是目前制造亚微米高分辨率微细图形掩模的主要手段.该文主要研究EeBES-40A型光栅扫描电子束曝光机工件台控制扫描系......
本文首先介绍了电子束曝光技术以及我国电子束曝光技术的发展状况,然后较为详细的介绍了主要数据处理的三种文件的格式组成、特点......
集成电路特征线宽不断减小的趋势和MEMS技术制备三维微结构的要求,都需要通过采用适当的方法对电子束光刻技术中由电子的散射引起......
电磁驱动微型活齿传动系统是一种集电磁驱动控制技术和微机电系统(MEMS)制造技术于一体的微致动器,具有结构紧凑、承载能力和传动......
随着现代信息技术的飞速发展,物联网、大数据、云计算和人工智能等新兴的产业对信息数据的采集和分析需求越来越大,对信息存储设备......
纳米科学技术将成为新世纪信息时代的核心 .纳米量级结构作为研究微观量子世界的重要基础之一 ,其制作技术是整个纳米技术的核心基......
<正> 时代的列车飞速地向文明社会驶去.20年前,我们不可思议的彩电、冰箱、录相机等家用电器现在已进入了家家户户,微型计算机已被......
最近TRW公司采用0.1μm栅长的P-HEMT研制成功了目前性能最好的W波段低噪声MMIC。所用的外延材料是用MBE技术制作的,并用电子束光......
最近,美国贝尔通讯公司的 Kash 等人第一次报导了电子空穴处于超一维限制状态的Ⅱ—Ⅴ族多量子阱结构的激发光谱。作者的样品用电......
本文为了分析亚波长周期介质光栅的衍射特性，采用FDTD(时域有限差分)方法，在三维直角坐标系下，以30nm为网格大小，PML(完全匹配层)为吸......
普通光栅是一种多级衍射元件，存在高次谐波污染问题，作为单色仪使用时，其高次衍射会叠加在一级衍射上，形成高次衍射干扰。为避免单色仪......
由于贵金属纳米颗粒具有小尺寸效应、表面效应和表面场增强效应等特性，使其表现出不同于宏观材料的物理、化学等性能，因而在生物传感......
Ⅲ族氮化物被认为是制作高效发光二极管(LED)的最佳材料之一。近年来，得益于高质量材料生长和新型器件结构设计，LED发光效率不断提高......
本论文主要工作是利用MonteCarlo方法模拟了在电子束光刻中电子穿越掩模的过程和电子在抗蚀剂和衬底中的散射过程。在电子穿越掩模......
以HBr作为刻蚀气体,采用ICP金属刻蚀系统对气体流量、刻蚀压力、离子源功率、偏压功率等工艺参数与刻蚀速率、刻蚀选择比和侧壁垂......
利用基于Mott散射截面和介电函数模型的Monte Carlo方法模拟了电子穿透掩膜的能量损失分布,其计算结果与实验结果符合很好.由此进......
期刊
本文对计算全息图元件的设计和制作成算法和软件,研究了采用高速电子束直写系统制作大面积、非周期性复杂光刻图形技术,在此工作的......
利用分段散射模型,借助Monte Carlo方法模拟了具有高斯分布特征的高能入射电子束(50keV≤E0≤100keV)在抗蚀剂中的散射过程,分别得......
利用电子束光刻技术，在正性光阻上加工三维微结构。为了模拟预测微结构的表面轮廓，需要建立电子束光刻模型。通常有两种方法建立能量......
从高分子辐射化学的角度分析了电子束曝光的实际反应机理,推导得出曝光辐射剂量与辐射降解程度间的关系,提出了重复增量扫描方式的......
电子束光刻（EBL）具有高的分辨率,能制备具有亚微米尺寸的声表面波（SAW）器件。一种采用EBL技术制备用于气体传感器的具有亚微米尺寸的SA......
本文利用MonteCarlo方法及优化的散射模型,对电子束光刻中电子在抗蚀剂中的散射过程进行了模拟,通过分层的方法,对厚层抗蚀剂不同......
优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RTD）材料结构,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工......
提出了基于电子束的LIGA(Líthographíe,Galvanoformung,Abformung)技术新概念.根据Grune公式就电子束能量对抗蚀剂刻蚀......
针对三维曝光图形的结构特点,结合重复增量扫描方式,分别从水平和深度两个方向进行邻近效应校正.水平方向通过预先建立校正过程中......
提供了采用电子束光刻、X射线光刻和金属剥离技术制作亚微米尺寸的声表面波叉指换能器的方法。首先利用电子束光刻和微电镀技术制......
为了制备高线密度X射线透射光栅掩模，分析了电子束光刻中场拼接对高线密度光栅图形的影响；利用几何校正技术和低灵敏度的950k的PMMA......
角度限制散射投影电子束光刻(SCALPEL)采用并行投影技术,具有分辨率高、曝光范围大的特点,可望获得远比电子束直写光刻高的产量.本......
在下一代光刻(NGL)技术中,限散射角电子束光刻(SCALPEL)技术工艺简单、成本较低,因此是集成电路生产厂家首选的光刻方案之一.本文......
介绍了单级衍射光栅的应用背景及其基本理论,分析了单级衍射光栅与传统黑白透射光栅的不同之处.阐述了单级衍射光栅的制作技术,分......
PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波/毫米波系统.当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候,沿着栅宽方向的寄生......
本文研究在扫描电子显微学中,借助蒙特卡洛模拟方法,可以从理论上系统地研究二次电子和背散射电子的信号产生和发射过程,从而理解......
本文利用双高斯形式的邻近函数来表达电子束在抗蚀剂中能量的分布,并以邻近函数为基础计算一些简单图形在曝光时所需的尺寸改变量......
