表面漏电流相关论文
碲锌镉探测器的保护环可以降低表面漏电流，成形电场，提高电荷的收集能力。粘贴在探测器侧壁的保护环，也可感应探测器内部的电荷移动，产......
实验制备了级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管, 对二极管暗电流随台面直径和温度的变化进行了研究分析。结合暗电流函数模型,......
碲锌镉探测器的保护环可以降低表面漏电流，成形电场，提高电荷的收集能力。粘贴在探测器侧壁的保护环，也可感应探测器内部的电荷移动，产......
定性分析了高阻硅探测器表面漏电流的产生，同时介绍了一种有效降低漏电流的方法，即保护环结构。结果表明：保护环结构使探测器的漏电流......
本文推导了一种可简便,准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、RD-Ⅴ特......
在同一Hg1-xCdxTe晶片上(x=0.217)制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种器件,对器件烘烤前后的暗电流和1f噪声进行了测试,......
研究了一种制作CdSe室温核辐射探测器的新工艺,并通过对CdSe室温核辐射探测器MIS接触电极电子注入机理的研究发现,CdSe探测器形成M......
常用于X射线和γ射线探测器中的CdZnTe（CZT）晶片经机械抛光后表面存在损伤层和许多肉眼看不到的划痕，采用溴甲醇（Br2-CH3OH）腐蚀可有效......
碲镉汞半导体材料以其优良的光电特性,自问世以来就成为制备高性能红外探测器的重要材料。随着第三代碲镉汞红外探测器技术的快速......
本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结I-V特性的公式和方法，并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的I-V、RD—V特性进......
本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结I-V特性的公式和方法，并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的I-V、RD-V特性进行......
用NH4F/H2O2对Br2-MeOH抛光CdZnTe晶片表面进行了表面钝化处理,通过I-V测试及XPS分析分别对钝化前后的CZT晶片的电学性能和表面组......
表面漏电流能对Hg1-xCdxTe光伏探测器性能产生很大的影响,因此选择合适的钝化工艺尤其重要.本文主要论述了Hg1-xCdxTe光伏探测器表......
期刊
CdZnTe晶体是迄今制造室温X射线及γ射线探测器以及HgCdTe等红外薄膜外延衬底最为理想的半导体材料。尽管对CdZnTe的研究由来已久，......
研究了表面沟道漏电流对长波n-pHgCdTe光伏器件性能的影响.通过对栅控HgCdTe二极管I-V特性的研究,证实了表面势引入的表面漏电对长......
