结电容相关论文
碳化硅（SiC）功率器件作为第三代宽禁带半导体,相对硅（Si）器件而言,具有耐高温、高压和高频的特性。因此被广泛地应用在电力电子器件的......
本文从MOS管电容模型出发详细分析了MOS源漏自举电路的自举物理过程,认为其中负载管栅电容主要起耦合作用.所得自举率公式、输出达......
采用硅光电池阵列作为接收机探测器,在Matlab/Simulink环境中建立了可见光通信(VLC)系统模型,对硅光电池阵列的U-I特性和输出功率......
摘要：结合电力电子技术中电力二极管结构，分析了电力二极管的电容效应、结电容对频率的影响、线性等效电路，同时对教材上容易忽视的几......
在该文中,我们对传统的半导体二极管电特性的检测方法—电容-电压(C-V)和电流-电压(I-V)方法进行了详尽的讨论,重点分析了它们的不......
为解决谐振腔增强型(RCE)光探测器的耦合效率和响应速率的矛盾,提出了采用特殊图案透明欧姆接触的微结构及其制备工艺方案,从而使......
期刊
为提高静电放电（ESD）防护器件的开启速度,减小被保护电路的损伤概率,在0.18μm CMOS混合信号工艺下,研究了结构参数、脉冲幅值对基于......
为了实现高灵敏度探测,红外探测器需要得到优化。利用Silvaco器件仿真工具研究了p--i--n型InP/In0.53Ga0.47As/In0.53Ga0.47As光电......
利用直流电源对发光二极管（LED）的结电容充电,切断直流电源后对LED的电压-时间特性进行测量.当充电电压低于LED复合发光的门槛电压,L......
针对非隔离型光伏并网系统的漏电流和直流分量问题,文章设计了新型H5逆变拓扑结构,分析了结电容对共模漏电流的影响,同时采用改进......
提出了一种利用正向电压下的导纳-电压(A-V)特性检测半导体二极管的非破坏性新方法,并给出了它的一般分析.利用这种方法,可以判断......
在计算和仿真共基-共射反馈放大器的开、闭环源互阻增益满足反馈放大器中基本关系的基础上,分别采用EWB软件和MATLAB对高频小信号......
利用Sentaurus TCAD软件模拟研究了Halo注入工艺参数（注入角度、剂量、能量）对50nm NMOS器件性能的影响。结果表明,Halo注入角度和剂......
为实现光纤通信系统中的单片光电集成，采用工业标准工艺设计了硅基光电探测器，讨论了光电探测器的机理，提出了五种新的探测器结构，并采......
与双极型晶体管相比,MOSFET器件更节能、更易于驱动,但在实际应用中,常常发现MOSFET器件的开关速度与数据手册上给出的参数差异很......
在考察InGaAs p-i-n管对锁模激光响应的实验中,发现其响应电压在经历一个快速的上升沿和缓慢的拖尾以后有一个明显的负电压.在二极......
针对电容储能高功率脉冲成形网络工作过程中存在的电流和电压冲击问题，建立了脉冲成形网络的等效电路。采用理论分析和数值计算的方......
在脉冲功率源系统中,隔离硅堆起着模块间隔离与保护的作用。分析隔离硅堆的动态特性有助于在硅堆出现故障时推测其原因。结合实验......
传统的平价英国功放的输出功率一般不大，通常是每个声道只用一对管，输出功率40～60W／声道。由于每声道只用一对管，“结电容”比较小，不仅......
<正> 利用放射性同位素的厚度计、密度计等自动检测仪表,可以在生产过程中不接触、无损伤地检查被测产品的厚度(或密度)的变化,并......
Zylbersztejn指出在空间电荷区边界层中,由于势垒的存在而引起的载流子分布的不均匀性,对测量深中心对载流子的俘获截面的不良影响......
针对反激变换器在MOSFET开通时刻存在电流尖峰的事实,详细分析了变压器分布电容和箝位二极管结电容对电流尖峰的影响。最后在PSIM......
随着通信系统、计算机以及消费电子的发展,更高效率、更小体积的开关电源系统成为了用户的广泛需求。在某些特种电源的应用场合,要......
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为满足对电子系统中元器件性能提升、面积减小、成本降低等需求，利用感应耦合等离子体刻蚀技术（ICP），对低阻P型硅采用刻蚀、扩散、磁控......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
针对碳化硅(SiC)MOSFET结电容,提出了一种建模方法。该方法通过统筹考虑寄生电容的物理结构模型、数学模型以及电路仿真模型后优化......
<正> 晶体三极管处于雪崩弛张振荡状态获得毫微秒脉冲的电路比一般雪崩晶体管毫微秒脉冲电路结构更为简单性能更为优越。本文所提......
<正> 硅变容二极管是一般作可变电抗电路元件使用的半导体器件。可变电抗随外加电压变化的结电容提供,因此,变容管是一种非线性元......
<正> 短波再生式AM和DRM接收机图1表示短波再生式接收机,只用单-6V电源共给灯丝和阳极工作。这里采用EL95型电子管,它是低频输出管......
<正> XCT—131 132型动圈式温度指示调节仪与热电偶和热电阻配合使用后,能对0～1800℃和-200～+500℃范围内的各种工业对象中的气体、......
为进一步研究碲锌镉半导体探测器（简称CZT探测器）的特性，搭建了其漏电流和结电容等主要特性参数的测试平台，设计了测试方案，并在不同条......
本文敍述了几位级联微带反射式二极管移相器的工作原理,分析了纯容性和纯感性的移相电路,求出了宽频带相移的最佳条件,介绍了一般......
基于二维数值模型,对光伏型中波(MW1/MW2)HgCdTe双色红外探测器作了模拟计算,器件采用n-p-p-p-n结构、同时工作模式.计算了双色器......
研究了一种在光探测器的结构设计中加入平面螺旋电感从而提高光探测器高速性能的新方法。对影响探测器频率响应的因素进行分析,结......
为满足CERN／ALICE超高能重离子对撞实验光子谱仪的需要，首次采用高阻硅材料，并利用一些特殊工艺，研制了用于钨酸铅晶体探测器读出单元......
<正> 50MHz～150MHz频率范围的调频发射器具有天线简易、调制方便、辐射性能好和效率高等优点。而87MHz～108MHz的调频广播波段可利用......
<正> 变容二极管是利用外加电压改变结电容而制成的压控电容元件,其电路符号、等效电路及外形图如图1所示。图中(a)为变容二极管电......
介绍一种基于CLLC拓扑的双向DC/DC谐振变换器,该变换器容易受到谐振腔寄生参数的影响。此处在考虑次级结电容这一寄生参数的情况下......
本文在计算和仿真说明共射-共基反馈放大器的开、闭环源互阻增益满足反馈放大器的基本关系基础上,分别采用EWB软件和MATLAB对高频......
将你喜爱的音乐用FM立体声电波发射出去定会给你带来极大的乐趣。本机采用IC和FET,制作简单,性能稳定。图1(见71页)是本机的电路图......
<正> 一、概述可关断可控硅又称可关断晶闸管,是可控硅的一种派生器件。国外称GTO(Gate turnoff Controlled Rectifier)或GCS(Gate......
为弥补CZT探测器漏电流与结电容间接测量法的不足，采用直接测量法重新设计了测试方案。通过对CZT探测器的测试，给出了更精确的漏电流......
