两步生长法相关论文
利用LP-MOCVD技术，采用两步生长法，在（100）GaAs单晶衬底上生长高质量的InAs0.9Sb0.1。用扫描电镜、X射线单晶衍射、Hall测量以及Raman......
利用LP-MOCVD技术,采用两步生长法在GaAs（100）单晶衬底上外延生长InxGa1-xAs材料。通过扫描电子显微镜（SEM）与原子力显微镜（AFM）观察了缓......
In GaAs是1-3μm近红外波段重要的探测材料。高In组分的InxGa1-xAs（x>0.53）由于没有同质衬底,在生长中则会出现晶格失配,使外延层质......
InGaAs/GaAs失配异质结材料有较高的电子迁移率、材料稳定性好，并且带隙在一定范围内(0.36-1.42eV)可调等优点，在光电子器件领域有着......
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在13μm的近红外波段,InxGa1-xAs是非常重要的红外探测材料。与传统的HgCdTe材料和锑化物材料相比,三元InxGa1-xAs材料具有较高的......
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