GaN基半导体器件的商业化使得当前对Ⅲ族氮化物的研究发展迅猛。由于带隙可以从6.2ev到0.7eV连续变化，所对应的波长覆盖了从近红外......

采用分别限制非对称波导结构,将光场从对称分布变为非对称分布,降低了载流子光吸收损耗,并允许p型区具有更高的掺杂水平,从而使器......

对具有渐变式折射率分布布拉格反射层（GRIN-DBR）的发光二极管进行了研究。研究发现,在传统分布布拉格反射层（C-DBR）的AlAs/Al0.45Ga0.5......

采用生长ZnS和ZnSe单晶膜的AP--MOCVD系统,以电子级二甲基锌(DMZn)和电子级10﹪稀释在H中的HSe和HS为原材料,二次钯管净化的氢气为载......

ZnO是一种II-VI族宽禁带半导体化合物,在室温下拥有3.3eV的禁带宽度和60meV的激子束缚能,这使其在光电器件领域的应用前景十分看好......

GaN基半导体器件的商业化使得当前对III族氮化物的研究发展迅猛。由于III族氮化物带隙可以从0.7eV到6.2eV连续变化,所对应的波长覆......

设计制作非对称宽波导结构无铝量子阱激光器,可降低内部损耗,实现低阈值电流、高转换效率的目的,同时也增加了最大输出功率。采用......

利用异变外延在特定的衬底材料上获得高质量的异变外延层,可充分发挥两种材料系各自的优势,进而研制出高性能的光电集成器件与芯片......

Ⅲ族氮化物半导体材料的禁带宽度可从0.7eV到6.2eV连续变化,覆盖了从近红外到紫外波段光谱范围,同时基于其优良的光电及化学性质,......

Ⅲ族氮化物材料体系包括氮化镓(GaN)、氮化铝(A1N)、氮化铟(InN)及其三元和四元合金。近年来,InN的禁带宽度逐渐被证实为0.7eV,于......

低压MOCVD技术在（0002）蓝宝石上外延获得高质量的ZnO：Ga单晶薄膜，并研究了Ga的不同掺杂浓度对材料电学和光学特性的影响．当Ga／Zn气相摩尔......