腐蚀坑密度相关论文
GaSb材料在制作长波长光纤通信器件、红外探测器和热光伏器件方面表现出了极大的潜力和良好的发展前景。本文报道了大直径(最......
采用HVPE技术在MOCVD生长的GaN模版上外延了高质量的GaN厚膜,通过XRD和SEM发现,随着GaN膜增厚,外延层的晶体质量变好,260μm厚膜的......
实验目的在于解决GaN外延层中六方形腐蚀坑起源问题存在的分歧,并利用腐蚀法准确地估计GaN的位错密度.大量对熔融KOH腐蚀GaN过程中......
通过对材料减薄,并采用红外透射显微镜观察的手段,实现了对A面和B面腐蚀坑的同时观察.结果发现采用标准腐蚀剂在同一晶片的(111)A......
本文简述了MBE异质外延碲镉汞薄膜位错形成机理、位错在外延层中的演化过程以及位错抑制理论,总结了国内外CdTe缓冲层的位错抑制技......
文中通过使用Nakagawa、Everson、EAg1和EAg2四种常用腐蚀剂对碲锌镉材料的腐蚀坑空间分布特性进行研究,结果显示,20μm厚的(111)......
实验目的在于解决GaN外延层中六方形腐蚀坑起源问题存在的分歧，并利用腐蚀法准确地估计GaN的位错密度。大量对熔融KOH腐蚀GaN过程中......
用化学腐蚀剂腐蚀出样品的(0001)表面上的位错蚀坑，在原生态和退火样品的对应径向线上测量了位错腐蚀坑的密度分布。由位错腐蚀坑的......
用Thomas Swan公司的MOCVD系统在蓝宝石(0001)面上生长了高质量的GaN薄膜．采用多种化学腐蚀方法，如熔融KOH，H3PO4与H2SO4混合酸和HCl......
通过对材料减薄，并采用红外透射显微镜观察的手段，实现了对A面和B面腐蚀坑的同时观察．结果发现采用标准腐蚀剂在同一晶片的（111）A和（111）B......
ZnO single crystals were grown by the innovated hydrothermal method. The crystal surfaces were polished, and then studie......
采用高温垂直Bridgman法,以ZnTe（5N）、Mg（5N）和Te（7N）为初始原料,在高温下成功生长出了尺寸为15mm×50 mm的Zn1-xMgxTe晶体。分别......
位错密度是晶体材料的重要参数之一,碲锌镉晶体位错研究也一直是红外焦平面研究领域热点之一.由于外延材料对衬底晶向的要求,Evers......
期刊
利用异变外延在特定的衬底材料上获得高质量的异变外延层,可充分发挥两种材料系各自的优势,进而研制出高性能的光电集成器件与芯片......
实验目的在于解决GaN外延层中六方形腐蚀坑起源问题存在的分歧,并利用腐蚀法准确地估计GaN的位错密度。大量对熔融KOH腐蚀GaN过程......
