结型场效应晶体管相关论文
碳化硅(silicon carbide,SiC)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点.近20年来,SiC器件是国内外学术界......
提出了一种新型结构的SiC结型场效应晶体管,采用肖特基接触替代P+型栅区,以降低SiC JFET的工艺复杂度,并提高器件的功率特性。建立......
在航空瞬变电磁（TEM）大深度测量时,由于飞行过程中共模噪声和天电噪声的引入,致使传统感应式磁传感器（IMS）探测灵敏度降低,无法满足地......
设计电路时，每当需要很高的输入阻抗、高工作频率和相对较低的噪声时，结型场效应晶体管便成为最佳选择。本文描述了一个简单的测试仪......
对新型双注入结型场效应晶体管(BJFET)的器件结构和工作原理进行了描述,对器件的阻断能力进行了理论分析和计算机模拟,并取得了一......
工作在三极管区的JFET广泛用作可变电阻,但是其狭小的工作范围和ID～VDS的非线性关系,限制了它的应用.本文用简单的方法,扩大了可变......
基于自主研制的碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)和碳化硅结型场效应晶体管(JFET)芯片,成功制备了4 500 V/150 A的碳化硅SBD功率模块和......
随着无人驾驶、人工智能和机器人产业的发展,市场上对功率器件的需求日益迫切,因此对功率器件的研究也显得愈发重要。击穿电压作为......
在深入研究JFET低频噪声特性及产生机理的基础上，提出了一种通过测试宽频带功率谱密度得到其规定频率处等效输入噪声电压功率谱密度......
建立了N型结场效应晶体管(JFET)在电磁干扰下的2维电热模型,在栅极分别注入高功率微波(HPM)和强电磁脉冲(EMP)时,对工作在饱和区的......
建立了常关型SiC结型场效应晶体管(JFET)功率特性的数值模型,研究了不同的结构和材料参数对器件功率特性的影响。仿真结果显示,沟......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
采用新型碳化硅结型场效应功率晶体管的光伏逆变器与采用硅IGBT模块的传统光伏逆变器相比,具有开关频率高、体积小、效率高的特点......
研究碳化硅结型场效应功率晶体管的静、动态性能及仿真模型,针对高速开关时的碳化硅器件开关震荡,提出有效抑制震荡与减小容性电流......
<正>本装置能够对500W(感性负载限制在100W)以内 的各种家用电器进行定时开启或定时关闭。由于采用 场效应晶体管对电容器恒流充电......
在大深度测量时,由于传统空心线圈传感器自身空心线圈和差分放大器部分引入了噪声,致使感应式磁传感器探测灵敏度降低,无法满足地......
二维过渡金属硫属化合物(TMDs)作为二维层状材料家族的重要成员,由于其独特的物理化学特性受到了广泛的研究关注。其中,二硫化钼(M......
本文对实验结果进行定性分析,用同一工作原理解释场效应管的三极管特性和五极管特性。五极管特性电流饱和的工作机理是漏压对源端......
提出了一种新型硅基环状分布垂直沟道恒流二极管,包括并联的结型场效应晶体管和PIN整流管。建立了器件的数值模型,并利用SILVACO T......
本文主要讨论了利用结型场效应晶体管作低电平电压转换开关的优越性和尚待解决的一些问题,并对用这种元件制成的256点低电平电压转......
本文提出了一种场效应晶体管中电压控制的负阻的一般理论。按照源-栅电压、源-漏电压及夹断电压之间的关系,用数学的方法确定了负......
<正> 用通常 MOS 或者 D-MOS(双扩散 MOS)制造的串接式结构的场效应晶体管已在国内外各公司进入实用阶段,然而,串接式结型场效应晶......
对于一个用作微弱信号放大的结型场效应晶体管来说,要求它具有尽可能低的噪声。本文分析了结型场效应晶体管的主要噪声来源,指出了......
采用自对准和掺杂多晶硅技术制造出了一种具有新结构的垂直沟道结型场效应晶体管。因为很多沟道容易集成在单片上,这种结构适用于......
用发展了的单极晶体管理论,其中考虑了漂移速度饱和的影响描述和分析了单栅砷化镓 p—n 结场效应晶体管的高频和温度特性。由简明......
采用噪声电流电压的En-In模型对热释电红外传感器的噪声特性进行了定性分析，给出了热释电红外传感器的输出噪声电压公式及其低噪声......
