钨铜材料相关论文
本文主要叙述电子封装中钨铜材料钎焊工艺中焊缝及材料腐蚀等质量缺陷,分析研究了各种焊接缺陷出现的原因及现象,解决电子封装中钨......
W-Cu复合材料具备较好的导热性能、导电性能和低的热膨胀系数,所以被大量用作电接触材料和电极材料。二十世纪九十年代以来,微电子......
为研究钨铜聚能粒子流的侵彻特性，对钨铜多孔药型罩和紫铜板药型罩的侵彻性能进行了试验研究，测试了钨铜聚能粒子流侵彻铝板的穿深与......
用摩擦焊实现了W80Cu20和紫铜之间的连接，并与传统的整体 烧结工艺进行了对比分析，观察了结合界面和拉伸断口。结果表明，摩擦焊焊接接......
随着大规模集成电路和大功率电子器件的发展，20世纪90年代钨铜材料作为新型电子封装和热沉材料得到了发展，并以其明显的优势得到日益......
一、前言 自1981年第一次钨业科技工作会议和方毅同志题词“振兴钨业”以来,历经“六五”“七五”“八五”三个五年计划,我国的钨......
为研究钨铜复合材料聚能射流成形的细观机理及材料细观结构对射流成形的影响,基于随机投放原理编制了钨铜复合材料细观离散化模型......
本文通过交南一钨铜触头材料分别在周期式和连续式结炉内烧结，并比较它们各自所获得的性能及杨品率，得出不同钨铜合金应相应炉型结的......
W-Cu材料具有高密度、高强度、低膨胀性、良好导电性、良好的加工性等特点而被广泛应用于高压电器、电子封装、航天、武器装备等领......
本文通过对不同铜含量(质量分数20%～50%)钨铜粉末进行热挤压,获得了近致密,组织细小,性能优异的材料。研究了铜含量对材料组织和性......
采用新型温压黏结剂对W—Cu粉末（Cu的质量分数为20％）进行了温压成形实验。研究了温压温度、压力、原料粉末粒度对温压压坯密度的影响，......
研究了钨铜触头材料的热等静压(HIP)处理。触头材料通过混合、压制、预烧结、熔渗制成。在低于铜的熔点温度和90～100MPa压力下进行H......
用热等静压工艺实现了含铜１０％～４０％的钨铜材料和紫铜及铬青铜的扩散连接。试样的拉伸强度接近或等于铜端的强度。对结合界面的拉伸断口进行......
W-Cu电子封装材料具有优良的导热性能和可调节的热膨胀系数,是目前国内外军用电子元器件特别是固态相控阵雷达首选的电子封装材料......
