引线框架相关论文
本文研究了引线框架在不同温度、不同时间对框架镀银表面与裸铜表面氧化的具体表现，通过对比框架分层情况，分析了铜框架表面不镀银和......
本文介绍了LED用铜材特性,阐述了LED用铜合金带材的生产情况以及LED用C19400铜材生产的主要控制点,并与引线框架材料进行了对比分......
在自动电镀线上对铜基引线框架表面电镀铜镀层,并以Sn–Pb合金进行钎焊试验.采用扫描电镜(SEM)和能谱仪(EDS)考察了镀层和焊接截面......
芯片尺寸增大，就需要改进自动芯片粘片系统的分配技术。当采用编程环氧图形精确控制环氧分配方法时，可在芯片和载体之间获得绝无空洞......
铜基引线框架氧化时先后分别生成Cu2O和CuO,形成结构为CuO/Cu2O/Cu的氧化产物。通过称重法估算氧化膜的厚度,通过电桥法测量电阻值......
高精度异型铜合金带高精度异型铜合金带主要用于彩电、节能灯、收录机等配套的大、中功率塑封二极管引线框架以及制作电气接插件、......
研究了时效温度、时效时间以及冷变形对CuNiSiP合金时效性能的影响,并利用Gleeble-1500D热模拟试验机,采用高温等温压缩试验,研究......
利用Gleeble-1500D热模拟试验机,采用高温等温压缩试验,对Cu-2.0Ni-0.5Si-0.03P合金在应变速率为0.01～5 s-1、变形温度为600～800℃、......
随着集成电路持续向超大规模发展,其引线框架日益高精密化,对引线框架用铜合金板带材的性能提出了更高要求.综述了采用蚀刻法制造......
通过电镀槽中屏蔽板的相互补偿作用,改善了集成电路封装过程中新型引线框架表面镀层厚度的均匀性,同时也大大降低了镀层厚度超出规......
鉴于表面具有Ni/Pd/Au三层构造的Pd PPF(Palladium Pre-Plated Frame)无铅引线框架技术可同时保证内腿金线的键合性和外腿的可焊性......
引线框架是集成电路和分立器件封装的主要结构件，其主要作用是连接电路芯片和印刷电路的线路。硬质合金级进模具是引线框架高速冲压......
引线框架用Cu-Fe-P系C194(Cu-2.35Fe-0.03P-0.12Zn，以下简称Cu-Fe-P)合金，因其优良的力学、电学性能和综合性价比，成为国内外应用最广......
Cu-Fe-P合金因其优良的导电导热性能以及机械性能等特点在引线框架材料应用中占据极大份额。本文针对KFC(Cu-0.11Fe-0.03P)合金在......
Cu-Ni-Si和Cu-Fe两种铜合金是引线框架的两大主流材料,Cu-Ni-Si合金的特点是强度高而导电率较低,而Cu-Fe合金的特点是导电率高而强......
学位
高速镀银是电子电镀行业常用的电镀工艺,它兼具高效、快速、可连续生产等优点,在引线框架局部镀银,LED支架镀银等方面广泛应用。当......
阐述了引线框架材料在国内外的研究与发展现状,着重分析了铜合金材料的弯曲回弹量。利用三维软件建立弯曲模型,然后在模拟软件中进......
研究了C194铜合金引线框架表面氧化状态对封装树脂结合强度的影响。铜合金引线框架与树脂的结合强度随氧化膜厚度的增加而先增加后......
铜合金由于具有优良的导电导热性能，已在现代集成电路塑料封装中占据了引线框架材料８０％的份额。但铜合金容易氧化，其氧化膜被认为是塑料......
1、简介rn非接触式IC卡模块是IC卡的心脏,是通过专业封装技术将IC芯片和引线框架以特定的连接方式组合在一起,由于它是接近芯片尺......
带电器件模型rn带电器件模型是假定对一个器件在其引线框架上或其他导电路径上充电,然后通过一管脚迅速对地放电的情况.rn......
本文概述了铜合金引线框架材料研制开发现况,特别重点介绍了7025合金成份、性能,並汄为该合金将是引线框架材料研发和产业化重要方......
研究了四种国产引线框架用铜合金与Sn-Pb共晶焊料的界面结构及其在高温保温过程中的变化.发现了铜合金中的微量Zn元素会在铜合金与......
高强高导的高性能铜合金是一类很有应用潜力的功能材料.本文叙述了高性能铜合金的基本原理、热处理方法以及加工技术.对国内外常用......
为了满足发光二极管（LED）照明市场目前及日后持续快速增长的迫切需要，开发了一种用于引线框架的新型高光亮度银电镀产品。该镀银液含......
提出了一种基于模糊控制的引线框架用铜合金导电性能预测模型.结果表明,在试验范围内,模糊控制对引线框架铜合金时效后导电性能的......
利用硬度测量、电导率测量及金相分析研究了Cu-Ni-Si合金固溶后组织性能变化及冷变形对Cu-Ni-Si合金时效后组织、性能的影响。结果......
由于技术原因，目前国内90％的引线框架用铜带依赖进口。由宁波兴业电子铜带有限公司组织实施、北京有色金属研究总院、中科院金属研究......
期刊
采用光化学蚀刻的技术,制备出细图案的引线框架,然后在引线框架的局部进行电镀镀银.分析了对银镀层质量产生影响的因素,发现预处理......
本文基于时效处理的方法，通过实验研究时效处理对用于引线框架的Cu-Ni-Si系合金Cu-Ni-Si-Cr-P材料的影响。......
期刊
高频感应炉在大气下熔炼Cu-Cr-Zr合金,熔炼温度控制在1 300℃～1 350℃,用石墨覆盖,保温10 min～15 min,浇注到铁模中,浇注温度控制在1......
期刊
综述了引线框架用Cu—Ni—Si合金发展的历史，阐述了Ni-Si元素的质量比及含量对Cu—Ni-Si合金性能的影响．Cu—Ni-Si合金的强化机制及......
主要对添加了不同量稀土Co的Cu-3．0Ni-0．64Si合金进行加工工艺和性能研究．最佳加工工艺为：Cu-3．0Ni-0．64Si合金热轧时，铸锭热轧开坯温度为......
通过对电子引线框架材料分析，及对引线框架的镀层材料的分析，设计了实用的弯曲成形模具。减少成本，利于加工，便于维护，延长寿命。这种设......
以一款引线框架为例,分析了其冲压过程中料带产生变形的原因,提出了模具生产过程中解决料带变形的方法及原理。本文设计的冲压料带......
前言Ｕｌｔｒａ ＣＳＰＴＭ Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｖｉｃｅｓ开发的一种封装技术术，特别适用于各类应用的定制化产品，如计算机、外设、通信、网络、以及其它多种小型、高密度产品。......
应用光学显微镜、电子拉力机、导电仪和硬度计等,研究了Cu-0.1%Fe-0.03%P铜合金框架材料的生产过程及其形变时效机理,试制品性能与......
简单概述了引线框架材料的发展趋势，指出随着集成电路的发展，对引线框架材料的使用性能提出了新的要求．描述了Cu-Al2O3复合材料的各种......
概述了引线框架用Cu-Ni-Si合金的研究现状。介绍了Cu-Ni-Si合金中Ni、Si元素的含量及其质量比对Cu-Ni-Si合金性能的影响,合金化特......
在集成电路技术的迅猛发展中，引线框架作为连接芯片与外部元件的载体，在集成电路器件和各组装程序中有极其重要的地位，如何提高框架材......
通过研究时效过程中电阻率的变化规律, 分析了Cu-3.2Ni-0.75Si-0.30Zn合金的时效析出特性及其动力学过程.结果表明: 低温时效时扩......
