随着集成电路规模和集成度的增加，器件尺寸逐渐缩小，集成电路技术发展逐渐进入瓶颈期。3D集成电路就成为了其中最有可能突破设计瓶颈......

提出一种与2D物理设计流程兼容的3D测试基准电路生成系统，并以IBM-PLACE测试基准电路为测试试例做了转换实验，提供一套3D测试基准电......

脉动阵列结构规整、吞吐量大,适合矩阵乘算法,广泛用于设计高性能卷积、矩阵乘加速结构。在深亚微米工艺下,通过增大阵列规模来提......

3D芯片通过垂直集成提高了芯片的集成度,成为当前半导体产业发展最快的技术之一,被认为是一种延续摩尔定律增长趋势的新方法。硅通......

在深亚微米工艺下,通过持续增大芯片规模来提升计算能力,会导致芯片工作频率降低、功耗剧增、计算效率下降等问题。因此,利用3D集......

在体积、重量和功耗有严格约束的情况下,系统小型化遇到多种技术挑战,为了满足高密度计算和小型化的要求,高密度系统集成和单芯片......

传统的集成电路受二维空间的限制，难以延续摩尔定律。高性能、小外形、低成本的电子产品的市场需求越来越高。作者根据集成电路发展......

与二维(two-dimension,2D)集成电路相比,三维(three-dimension,3D)集成电路供电需求增加,能量传输路径更为复杂,通过电源网络传输......

在信息大爆炸的今天,数据传输正朝着容量大、速度快和损耗低的方向发展,传统意义上的电互连已经无法满足用户日益增长的需求,这就......

随着集成电路规模增大，互连线增长，导致互连线上的延迟增加，而影响电路性能和发展，减少集成电路互连线长度就成为了发展集成电路的关键......

为了缩短硅通孔的测试时间，针对符合JESD229和IEEEll49．1边界扫描协议的“存储＋逻辑”3D集成电路，提出一种硅通孔可测试性设计．首先在逻......

从制造商的立场来看,除非实现硅穿孔（TSV）所增加的成本以及随之而来的所有工艺步骤都能够因为芯片性能优势而得到大部分的补偿,或是......