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电平转换器可以作为1.1 V核心电压和3.3 V输入输出电压之间的高速接口。优化的电压上升转换器使用2.5 V厚氧化层栅零阈值电压n MOS......
最近几十年来,半导体技术一直是遵循着摩尔定律的发展规律前进,新的工艺带来了芯片性能、面积和功耗等其他优势,促进着半导体行业......
目的:利用加热磁力搅拌器及回流装置,采用柠檬酸三钠做还原剂,制备颗粒均一、分布均匀的40nm胶体金.方法:本实验是采用先加入还原......
随着集成电路设计进入纳米阶段,电源网络对整个芯片的重要性日趋明显。传统使用Cadence公司流程的电源网络设计凭经验先估计电源网......
本文提出了一种适合ASIC实现的可编程的数字下变频器(DDC)设计方法,该DDC嵌入于4GS/s-12bitADC中,能够处理频率为4GHz的输入信号,......
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对自主研发的40nm工艺SRAM型FPGA电路的抗总剂量辐射能力进行摸底试验和分析.试验表明,采用普通商用40nm工艺未做加固的FPGA电路抗......
数据服务的日益流行需要更高的性能和带宽。为了支持这些新的需求，数据的传输正朝着具有更高数据率和带宽发展。增加带宽的关键技术......
高性能模数转换电路是典型的数字电路与模拟电路相结合的产物,也是数字信号处理和单芯片(SoC)中不可或缺的接口单元,它能够将自然......
作为40nm半导体制造工艺中要求最为严格的模块之一,栅刻蚀工艺面临着非常大的挑战,其中物理形貌,负载效应,线宽粗糙度和均匀性的控......
Intel新一代处理器使用的是目前比较先进的14nm工艺,而国内芯片使用的工艺还普遍停留在0.13um、0.18um阶段。相对于TI等大公司,国......
提出了一种无静态漏电流的高性能电平转换器．与现有的电平转换器不同，此设计能够在无静态功耗的情况下，将阈值电压转换为全摆幅输出，只......
