C-V测试相关论文
研究并制备了一种半导体Si-MOS器件结构，用于Si-SiO2氧化层质量表征和界面测定。实验的测试样品经过切片封装后，可在普通探针台或测......
半导体热氧化过程中,不可避免会沾污Na离子,造成MOS电容的C-V曲线平带电压漂移。在1 200℃下热氧化,生成SiC/SiO2界面,进而制作MOS......
利用Al/SRO/Si MOS,对富硅二氧化硅(SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究.用LPCVD法在n型Si衬底上沉积SRO材料,通过......
利用Al／SRO／SiMOS。对富硅二氧化硅(SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究。用LPCVD法在n型Si衬底上沉积SRO材料，通过C......
为满足目前对水下金属、蛙人等检测的应用需要,设计一种用于水下金属探测成像的压电式微机械超声换能器。在该结构中,在顶部电极和......
通过电容-电压（C-V）测试，测量得到了TiO2WO3压敏电阻的晶界势垒高度以及施主浓度等参数，测试结果显示99．75mol％TiO2＋0．25mol％WO3的样品势垒......
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碳化硅（SiC）具有宽禁带,高击穿电场,高热导率等优点,是优良的第三代半导体材料。SiC MOS器件特别适用于高温,高频大功率,强辐射的工......
碳化硅(Silicon Carbide)半导体材料凭借临界击穿电场高、热导率高、热载流子饱和漂移速度高、抗辐照能力强等特点,已经成为国际功......
针对硅片研磨和抛光产生的亚表面损伤层会影响栽流子寿命及界面态的特点，采用机械减薄、机械抛光、化学机械抛光（CMP）制备出不同粗糙......
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