CIS薄膜相关论文
CuIn(Ga)S2薄膜太阳能电池由于开路电压高、制造成本低、性能稳定等优点,因此被认为是广泛应用前途的第三代太阳能电池之一。本文......
CuInSe(简称CIS)是一种直接带隙材料，光吸收系数高达10cmΩ·cm，霍尔迁移率为200～400cmcm...
寻找可再生、廉价、清洁的新能源已成为当前人类面临的迫切问题。太阳能是一种取之不尽、环保的可再生能源,有关光伏转化半导体材......
太阳能是一种清洁新型能源，太阳电池可以将太阳能转换为电能。CuInSe2(简称CIS)是一种直接带隙半导体材料，吸收系数高、带隙可调、转......
薄膜太阳电池作为一种新的能源正在得到迅速的发展和进步。CIS (CuInSe2, CuInS2等)系薄膜太阳电池因其较高的转换效率、较低的成......
CIS(CuInSe2)是一种典型的多元化合物,CIS薄膜太阳能电池以其吸收系数高,成本低,柔性好,转换效率高等优点而备受广泛的关注。目前......
采用三电极体系,以钼片为工作电极,大面积铂网为辅助电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,以氯化铜、氯化铟、亚硒酸为原料,在无水乙......
简述了ＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳ）薄膜太阳能电池发展历史和现状，描述了这种太阳能电池的制备过程，并对其性质做了讨论。......
由于CuInSe2（简称CIS）薄膜太阳能电池材料的吸收系数高、带隙可控、结晶品质高、弱光性能好、抗辐射能力强、电池性能稳定、制造成本......
利用离子束溅射沉积技术,设计三元复合靶,直接制备CuInSe2（CIS）薄膜。通过X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）和分光光度计检测在不同......
S．Wagner等在1974年第一次报道了单晶CIS太阳电池，其效率为12．5％。1976年，美国的LL．Kazmercki发表了第一块效率为6．6％的薄膜CIS／CdS太阳电池......
CuInS2是一种最具前景的太阳能电池光吸收材料。介绍了CuInS2（CIS）太阳能电池的研究和发展现状，以及一种低成本的CIS薄膜太阳能电池产......
采用中频交流磁控溅射方法在镀有Mo薄膜的玻璃衬底上沉积Cu-In薄膜,然后在硒气氛下硒化形成CIS薄膜.对薄膜的成分、结构、表面形貌......
采用超声电沉积法在钼基底上制备了Cu-In合金预制膜，随后在硒蒸汽进行硒化处理，得到了CuInSe2（CIS）薄膜。分别用SEM、EDS和XRD分析了合......
本文采用一步电沉积法在ITO玻璃衬底上成功制备了不同Cu/In比的CuInS2（CIS）薄膜。采用扫描电子显微镜、能谱仪、X射线衍射和紫外-可......
CuIn(Ga)S2薄膜太阳能电池由于开路电压高、制造成本低、性能稳定等优点,因此被认为是广泛应用前途的第三代太阳能电池之一。本文......
CuInSe2（CIS）作为一种直接带隙半导体材料，其禁带宽度为1.1eV,与太阳光相匹配，并且其光吸收系数较高，CIS吸收层的厚度仅需几个微米，便可......
