CdS纳米带相关论文
半导体微纳材料构成的光学微腔由于对光场具有良好的限制作用,在光-物质耦合领域的研究受到了人们的广泛关注。由半导体材料构成的......
应力工程学已经被证实是一种调制半导体材料光学和电学特性的行之有效的方法，尤其是对半导体纳米材料，由于其晶体质量高，体表比大，具有......
低维半导体材料由于其具有高的结晶质量、显著的尺寸效应以及可控的几何结构等特性而被广泛地应用在光学、电学、光电子学器件当中......
由于具有优异的光电性能,低维有机/无机半导体纳米材料是构筑高性能纳米器件的理想材料体系,同时其光电器件又是新一代光电技术研......
CdS是重要的Ⅱ-Ⅵ族材料之一,在室温下禁带宽度为2.42eV,具有其独特的性质和广泛的应用前景引起了科学界的浓厚兴趣。CdS纳米带合......
CdS是一种重要的II-VI族半导体化合物，常温下（300K）其能带宽为2.4eV。近年来，CdS纳米带的制备与应用已成为研究的热点，然而，CdS纳米带通......
基于半导体掺杂纳米结构能有效地改变半导体材料的电学、光学和磁学特性，近年来在制备与性能表征等方面的研究越来越被关注，其应用价......
为了研究CdS纳米带掺杂La3+的发光特性,采用热蒸发CdS粉末和La2(C2O4)3·9H2O粉末方法制备高质量的CdS∶La3+纳米带.使用X射线衍射......
采用热蒸发法制备CdS∶Y~（3＋）纳米带.利用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）对纳米带的形貌、晶体结构进行表征;利用荧光光谱仪（PL）对......
本文设计并合成了一个新的含有查尔酮基团的小分子有机凝胶剂,通过熔点,红外光谱,核磁共振波谱等对凝胶剂进行了表征;并以凝胶剂在......
利用物理热蒸发法蒸发CdS和CdO的混合粉末，Si衬底表面发生了选择性刻蚀，并由此制备出CdS／SiO2纳米线阵列和CdS纳米带．研究了CdS／SiO2纳......
采用直接热蒸发CdS粉末的方法,在不同的生长条件下制备出CdS纳米线和纳米带材料并对其形貌、结构和光学性质进行了研究。CdS纳米线......
分析表明,采用热蒸发法成功制备CdS:Mn^2+纳米带。利用扫描电子显微镜(SEM)对纳米带的形貌进行表征;利用荧光光谱仪(PL)分析纳米带......
宽禁带直接带隙半导体材料(如CdS、ZnO、GaN等)拥有着优异的光电性能,另外纤锌矿的晶体结构使它们都具有压电特性。随着半导体光电......
