单层MoS2相关论文
基于可再生生物质在二维层状晶体表面的自组装及其与四硫代钼酸铵的化学配位作用,发展了一种镶嵌单层MoS2纳米片的超薄硼氮共掺杂......
近年来，二硫化钼(MoS2)已经成为了一个新的研究热点，关于单层MoS2[1]、双层MoS2[2]、MoS2纳米带[3-5]和MoS2纳米粒子[6]的奇特性质在......
单层MoS2 作为一种典型的过渡金属硫属化合物,具有天然的直接带隙、较高的电子迁移率和高达108 的开关电流比1,这些优异的电学、光......
单层二硫化钼(MoS2)是有广泛应用前景的二维纳米材料,但其力学性质还没有被深入研究,特别是其热弹耦合力学行为迄今还没有被关注到......
低维半导体材料由于其具有高的结晶质量、显著的尺寸效应以及可控的几何结构等特性而被广泛地应用在光学、电学、光电子学器件当中......
基于二维材料的光学器件和光电器件具有体积小、灵敏度高、可被制成柔性器件等优势,因此被认为是此类器件未来的发展方向。单层MoS......
相比于石墨烯结构中的5|7位错结构,单层的MoS2结构有着更加丰富的位错结构,并且这些位错结构对单层MoS2的物化性质都有影响。然而,......
随着石墨烯这种真正意义上的二维材料的问世,近些年来二维材料的发展一直备受关注。相比于其他二维材料,MoS2不仅同样具有优异的光......
单层过渡金属硫化物是继石墨烯之后发现的又一类二维原子晶体,典型代表就是二硫化钼（MoS2）,成为半导体物理及相关领域的研究热点。单......
采用第一性原理研究单层MoS2的表面储锂行为。Li原子和离子都不能穿越MoS2单层。MoS2表面的Li原子迁移能垒过大不能自由迁移;MoS2......
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了Te掺杂对单层MoS2能带结构、电子态密度和光电性质的影响。结果表明,本征单层MoS2属......
基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了Se掺杂单层MoS2能带结构和光吸特性,并分析了对其光解水性质的影响。结果表明：本征单层Mo......
根据介质屏蔽的氢原子模型求解了单层过渡金属硫化物MoS2中A激子的结合能及能级谱图,所得结果与二维空间里的玻尔氢原子理论所得结......
基于非平衡态格林函数--密度泛函理论,采用第一性原理研究方法,对单层含硫空位MoS2的光伏效应进行了研究.利用能带图和联合态密度......
采用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了单层MoS2的能带结构、电子态密度和光学性质。计算结果表明单层MoS2是直接带隙半导体材......
基于密度泛函的第一性能原理计算方法研究了单层MoS 2分别与MoSe 2、MoTe 2、WS 2进行合金化,以及加入2%应力条件下,对光催化裂解......
MoS_2二维材料由于其本身就具有直接带隙且带隙不为零,具有优于石墨烯的能带结构,是良好的半导体材料,在电学、磁学、及未来电子器......
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为了满足高性能微电子器件对二硫化钼(MoS2)薄膜低层数大尺寸的需求,文中利用化学气相沉积法(CVD)制备单层MoS2,研究钼源与衬底之......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
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以二硫化钼（MoS2）为代表的过渡金属硫属化物属于二维层状材料,样品可以薄至单层.单层MoS2是一种直接带隙半导体,在纳米逻辑器件、高......
本文运用第一性原理研究了单层MoS2在S位吸附Ag6团簇的稳定性、能带结构和态密度.结果表明,Ag6团簇在S位单点位吸附的稳定性强于双......
本文基于第一性原理方法采用密度泛函理论研究了单层MoS2吸附Cu3,Ag3,Au3团簇的稳定性、能带结构和态密度.通过研究发现单层MoS2在......
文中利用第一原理计算,发现Cr/Feδ型掺杂是一种调节单层MoS2的电磁特性的有效方法。区别于铁磁半金属,Feδ型掺杂MoS2、Cr和Fe交......
进入21世纪以来,食品安全逐渐成为社会关注的焦点。农药因其使用广泛,可以直接或间接进入人体危害健康,农残检测成为重中之重,为了......
半导体气敏传感器因其灵敏度高、长期工作稳定性好、响应/恢复时间短等优点,成为应用和研究最为广泛的气敏传感器,在人类的生产生......
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了Te掺杂对单层MoS2能带结构、电子态密度和光电性质的影响。结果表明,本征单层MoS2属......
二硫化钼（MoS2）是一种类石墨烯材料,单层MoS2是直接带隙半导体材料,弥补了零带隙石墨烯的不足。由于单层MoS2拥有良好的光电性能,成......
单层二硫化钼（MoS2）作为新型场效应晶体管的沟道材料而被广泛的关注。而且其光电性质已经被广泛的研究了,但是关于单层MoS2热学性质......
二硫化钼是独具代表性的n型半导体,比起零带隙的石墨烯,其具有1.2 eV1.8eV的可调带隙,因此在制备电子学器件(如光电探测器、场效应......
二硫化钼（MoS2）是一种二维半导体材料。单层MoS2拥有直接带隙结构,并因其独特的六方晶系结构而具有优异的光电性能,因此在光电器件应......
