碳化硅[SiC]优越的材料性质为电力电子器件提供了比传统的硅基器件更优越的性能。最近开发了一种1200V、50A的SiC DMOSFET已用于开......

本文介绍一种具有高性能和高可靠性的新型低压功率MOSFET——TI公司的NexFETTM,它将一种高可靠、高性能的RF LDMOSFET与齐纳二极管......

简要地评述了硅微波功率ＤＭＯＳＦＥＴ（ＬＤＭＯＳ，ＶＤＭＯＳ）的发展概况，叙述了硅微波功率ＤＭＯＳ的基本结构和一些重要的制造技术。对微波功率ＤＭＯＳ的性能，特点与ＢＪＴ进行了比较，并对其应......