电压过冲相关论文
受内部寄生参数与结电容的影响，碳化硅（SiC）功率器件在高速开关过程中存在极大的电流电压过冲与高频开关振荡，严重影响了SiC基变换器的......
杂散电感带来的电压过冲严重影响直流断路器中IGBT器件工作的可靠性。运行电压与分断电流同时增大,产生的电压过冲对器件的影响显......
di/dt缓冲电路中较高的开通电感使IGBT短路特性在两种短路模式下有明显的不同,由于短路开通时集电极-发射极电压的急剧减小,IGBT短......
相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗。然而,快速的暂态过程......
功率模块(Power Module,PM)具有高耐高压,高电流密度,及高集成度等优点,在智能家电,交通及工业自动化等领域中得到了广泛应用。在......
基于能带理论——载流子浓度分布与电极距离函数的宏观体现，该文提出了一种IGBT在高频正弦波电流及零电流开关条件下开关动态特性的......
为改善高频链矩阵式正弦波变换器中双向开关换流的安全性以及逆变输出的频谱特性,在常规SPWM模式下,提出了一种新的解耦分时驱动方......
随着现代战争环境恶劣化,现代军事技术的发展要求军用电子设备向综合化、小型化、模块化和通用化方向进一步推进。军用电子设备模......
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在各种中大功率电力电子装置中得到广泛应用,但是IGBT在开关瞬态产生的电压过冲和电流过冲,不但会增加电......
学位
随着电力电子技术的发展,高性能的交流调压技术得到了广泛的应用。基于大功率电器的产生意味着人们对交流调压装置的性能要求也不......
静电放电(ESD)失效与雪崩耐量是影响高压硅功率二极管,如功率快恢复二极管(FRD)性能及可靠性的两个主要因素。利用ISE TCAD平台,采......
针对两相交错式能量路由器在启动时出现的电流浪涌及电压过冲现象,提出自适应脉宽调整启动方案,使能量路由器在启动瞬间输出电压和......
以SiC MOSFET为代表的宽禁带半导体器件近年来受到越来越多的关注,将在更多的场合得到应用。SiC MOSFET本身较小的寄生参数带来了......
期刊
针对电机等感性负载电路中,金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconduc-tor field effect transistor,MOSFET)关断瞬间......
针对交流斩波电路容易产生短路,电压过冲和过电流等问题,提出一种基于交流电压和交流电流过零检测的交流斩波控制方法.通过对不同......
高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)以其在真空镀膜上更大的优势而越来越受到重视,高压大电流电源是实现HPPMS的关键因素。本文研制了1000 ......
为均衡双馈感应发电机感性和容性无功调节能力,改善电压稳定性,提出双馈风电场并联无功补偿方案:在各机组机端装设电容器,其电容值......
随着大规模新能源接入的快速发展,人类对于环境、供电质量要求的日益提高,以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)为代表的新一代高压大功率电......
作为高性能功率半导体解决方案供应商,Fairchild日前公布其在中压与高压产品领域的最新斩获：FDMS86181 100V屏蔽栅极PowerTrench MO......
