Delta掺杂相关论文
AlxGa1-xN材料具有带隙可调（3.4 eV～6.3 eV）、高载流子迁移率等特点,使用Si对AlxGa1-xN材料进行掺杂,可以将AlxGa1-xN晶体变为以电子......
采用真空热蒸镀方法,制备了四种Delta掺杂结构OLED器件,其结构为:ITO/m-MTDATA(50nm)/LiF(xnm)/NPB(10nm)/Alq(5nm)/C545T(0.05nm)......
沿c轴生长的六方纤锌矿结构的Ga N,依据其原子堆叠顺序的不同,存在镓极性和氮极性两种极化方向相反的状态。目前关于镓极性Ga N的......
自旋电子学同时利用了电子的电荷和自旋两种属性,在器件内部实现了电与磁的耦合,是新一代的电子学。自旋电子学材料是当前自旋电子......
本文将在有效质量近似下,通过自洽地计算方式求解量子阱系统薛定谔方程和泊松方程,得到在温度不为零情况下量子阱系统的电子态结构......
GaN材料被喻为第三代半导体材料,不仅可以用于微电子器件制造,还可以制造从可见光到紫外波段的光电子器件,在制造白光LED方面更是......
学位
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶Mg薄膜。首先,对Delta掺杂p型GaN的掺杂源流量进行优化研究,研......
采用Delta掺杂技术制备了p型氮化镓薄膜,并利用原子力显微镜、霍尔测试、X射线衍射、荧光光谱等测试手段对样品的形貌和电导性能进......
