ESD保护器件相关论文
基于ESD应力下GGNMOS的工作特性，从GGNMOS的内部物理过程，推导建立了二次击穿前GGNMOS的器件级模型，并给出了相应的参数提取方法；实现......
设计工程师为了应对诸如HDMI、SATA、MIPI和DisplayPort等新的输入/输出（I/O）接口要求的更高数据率,必须考虑降低ESD保护器件的电容......
泰科电子旗下的Raychem电路保护部推出PESD0402和0603静电放电（ESD）保护器件产品。PESD保护器件专为高速数据传输应用中的输入／输出接......
TE Connectivity推出一个系列SESD0201X1BN．0010-098等8款全新的单，多通道硅静电放电（SESD）保护器件，器件可提供电容（双向：典型值为0．10pF，......
在一天的工作正式开始前，粗略地浏览电子邮件，看到一连串报价、样品、项目和其他要求。对我来说，总是脱颖而出的一个要求通常包含“帮......
静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)事件是一种最为常见的造成集成电路失效的自然现象。随着集成电路的集成度不断提高,芯片面......
随着MOS器件栅氧化层变薄,栅的击穿电压下降,这使得ESD对集成电路的影响变大;同时在高速混合信号IC领域,高健壮度的ESD保护电路所......
随着集成电路及电子设备的广泛应用,人体静电放电的危害性日益引起人们的重视。首先介绍人体静电放电模型及测试方法,然后阐述几种......
