本文采用氨化磁控溅射Ga_2O_3/Ti和Ga_2O_3/TiO_2薄膜的方法在硅衬底上合成了GaN纳米结构。通过研究不同生长条件对制备GaN纳米结......

通过磁控溅射技术在Si（111）衬底上沉积Ga2O3／Co薄膜，然后在不同温度下氨化制得GaN纳米结构。采用X射线衍射（XRD）、傅里叶红外吸收谱（FTIR）......

半导体纳米材料由于其特有的光电性能,且在未来器件小型化发展趋势方面具有潜在的应用价值,因而一直是纳米材料科学中的研究热点。......

以氮化镓（GaN）为代表的Ⅲ-Ⅴ族氮化物作为第三代半导体材料,由于在蓝光二极管、紫外探测器和短波长激光器等固体光电子器件方面的产......

采用浸渍法在未抛光的硅衬底上涂抹一层NiCl2薄膜，通过化学气相沉积法（CVD）制备出高质量的GaN纳米线和纳米棒。X射线衍射（XRD）、傅立叶......

通过磁控溅射技术在Si(111)衬底上沉积Ga2O3/Co薄膜,然后在不同温度下氨化制得GaN纳米结构。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收......

GaN是一种十分优异的宽带隙Ш一V族化合物半导体材料,是当前世界上最先进的半导体材料之一。室温下,GaN的禁带宽度为3.4eV,是制作......