GaN衬底相关论文
采用MOCVD技术对GaN衬底上生长单晶GaP薄膜以及P型GaP层进行了研究。通过优化生长条件，在GaN上生长出了单晶GaP薄膜，其(111)X射线衍......
在GaN衬底上制作了MIM型BST薄膜压控电容.测试表明，该压控电容在0.1～15GHz的频率范围内具备压控调谐特性；在5GHz处，当外加电压15V......
我们在c面GaN衬底上实现了无铝蓝光激光器的脉冲激射,得到了近似圆形的光斑,激光器激射光斑纵横比为1.6,激光器激射波长440nm,......
金刚石是一种具有优异的热学、力学、光学和电学性能的特种功能材料，具有着非常广阔的应用前景。特别是80年代以来，化学气相沉积金刚......
GaN同质外延衬底的研制对发展氮化物半导体激光器、大功率高亮度LED,以及高功率电子器件等是非常重要的。本文介绍了宽禁带氮化物......
γ-LiAlO2晶体是一种非常有前途的GaN衬底材料,本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了LiAlO2晶体的缺陷.结果表......
上个世纪90年代初开始,高亮度可见发光二极管(LED)的研究得到迅猛发展。因为高亮度LED采用双异质结构,要求材料具有良好的晶格匹配......
本文通过水热法在u-GaN（undoped GaN）/Al2O3和p-GaN/Al2O3衬底上制备了ZnO纳米棒阵列。利用X射线衍射仪（XRD）、高分辨X射线衍射仪（HRXRD......
