自由激子相关论文
近些年来,钙钛矿材料在诸如太阳能电池,光发射二极管,光探测器,激光器等领域取得了重大的研究进展。其中,二维钙钛矿因其稳定性好,......
二维材料由于其超薄的物理尺寸、强面内共价键作用、超大的比表面积和表面原子的高曝光率可以广泛应用于制备电子/光电器件、超级......
报道了利用低压金属有机汽相外延(LP-MOCVD)工艺首先在硅(n-Si衬底上生长硫化锌(ZnS)薄膜,然后将 硫化锌薄膜在氧气中于不同温度下......
本文介绍了纳米ZnO具有体材料所不具备的表面效应和量子尺寸效应，从而产生了许多优异的光、电、磁等方面的性质，在光通讯、光存......
主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱( InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实......
利用低压 -金属有机汽相外延 (L P- MOCVD)工艺首先在二氧化硅衬底上生长硫化锌 (Zn S)薄膜 ,然后 ,将硫化锌薄膜在氧气中于不同温......
ZnO的激子特性对制备氧化锌基的光电子器件至关重要,因此对ZnO量子点中激子的发光性质及其跃迁过程进行研究显得十分必要。采用溶......
分别使用X衍射仪和紫外（190nm～800nm）分光光度仪，测量了用分子束外延法生长在SIC（001）基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的......
采用CVD法在a-面蓝宝石衬底上制备了ZnO籽晶层,然后在籽晶层上用碳热还原法制备了高质量的ZnO纳米线阵列。发现生长后的ZnO纳米线......
二维过渡金属硫族化合物半导体(TMDs)是继石墨烯发现之后又一明星材料,受到广大研究者的持续关注。TMDs的带隙大小受层数调控且单......
GaN基半导体器件的商业化使得当前对Ⅲ族氮化物的研究发展迅猛。由于带隙可以从6.2eV到0.7eV连续变化,所对应的波长覆盖了从近红外......
本文报道了利用低压金属有机气相外延(LP-MOCVD)工艺首先在二氧化硅衬底上生长硫化锌(ZnS)薄膜,然后,将硫化锌薄膜在氧气中于不同......
