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GaSb是一种由Ⅲ-Ⅴ族元素组成的窄禁带半导体材料,因其晶格常数跟光谱范围在1.7～4.4μm的三元、四元固熔体合金材料相匹配,可作为良......
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高质量的InAs/GaSbⅡ类超晶格(SLs)材料生长在晶格匹配的GaSb衬底上,由于GaSb衬底具有良好的导电性,传统的霍尔测量难以直接得到外......
