刻蚀速率相关论文
熔石英光学元件因为其良好的光学性能和机械性能在高功率激光系统中得到了广泛的应用。然而,在355nm激光作用于光学元件后,熔石英......
为避免深硅刻蚀工艺所引起的扇贝纹效应，同时减少其工艺气体所带来的温室效应，本文将新一代环保电子刻蚀气C4F6引入硅刻蚀工艺，采用刻......
期刊
作为21世纪被密切关注和广泛研究的硅材料,可以通过具有成本低、工艺流程简单、生长参数易控制等优点的金属催化化学刻蚀方法被加......
目的 在反应速率温和的前提下,在n型单晶硅片表面制备低反射率的纳米倒金字塔绒面,研究H2O2浓度对铜纳米颗粒的沉积及刻蚀行为的影......
基于4H-SiC材料的微机电系统（MEMS）器件（如压力传感器、微波功率半导体器件等）在制造过程中，需要利用干法刻蚀技术对4H-SiC材料进行微加......
在不同氪(Kr)离子束参数下,研究了微波回旋共振离子源对旋转蓝宝石样片表面的刻蚀效果。采用四因素三水平正交实验,分析了Kr
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使用微波回旋共振离子源制备蓝宝石(A向)自组织纳米结构, 研究不同入射角度下Kr 离子束刻蚀蓝宝石表面形成的自组织纳米结构及其形......
简单介绍了ICP(inductively coupled plasma)刻蚀的基本原理,深入研究不同的工艺参数对于InP 端面刻蚀的影响,同时报道了ICP刻蚀技......
对薄膜晶体管(TFT)像素区域的非晶Si(a-Si)进行刻蚀是TFT-LCD行业的主要工艺之一,通常在电容耦合射频真空放电设备中采用Cl2和SF6......
干法刻铝中 ,BCl3添加 Cl2 、CHCl3和 N2 ,可改变 Al的刻蚀速率、Al对 Si O2 和胶的选择性、线宽和胶膜质量 ,其中 Cl2 流量影响最......
针对光刻胶刻蚀过程模拟,提出了一种新的2-D动态元胞自动机(CA)算法。算法既有稳定性好的优点,又有运算速度快的优点。采用一些公......
应用材料公司发布了基于Applied Centura~(?)Silvia~(TM)刻蚀系统的最新硅通孔刻蚀技术。新的等离子源可将硅刻蚀速率提高40%,快速......
基于Lam 4420反应离子刻蚀(RIE)设备和Cl2气体开发了适用于沟槽栅IGBT的深槽等离子刻蚀工艺。通过调整HBr、O2和SF6等添加气体含量......
针对现有微透镜加工方法难以在红外探测器衬底材料CdZnTe上实现大孔径、深浮雕微透镜制备,提出了一种利用ICP-RIE干法刻蚀结合化学......
针对内线转移CCD金属铝遮光技术存在的漏光问题,对比了不同难熔金属材料的遮光性能,选择漏光率较低的氮化钛金属作为新型遮光层材......
通过对感应耦合等离子体(ICP)设备装片夹具进行改进,提高了背氦的导热效率,减小了下电极基底与晶圆表面之间的温度差,提高了冷却效......
铬掺杂锑化碲(Cr-SbTe)是一种新型相变存储材料,它与传统锗锑碲(GST)相变材料相比,具有稳定性高,功耗低,操作速度快等优点,是下一......
硅是半导体行业最重要的材料,通过金属辅助化学刻蚀方法制备硅的微纳米结构以其工艺简单、成本低廉、生长参数易于控制等优点得到......
利用氩离子激光,在较低的激光功率下,对铁镍合金(Ni=52％)在硝酸钠溶液中的激光化学刻蚀作了研究,给出了刻蚀速率与激光功率和溶液浓......
随着微细加工技术的不断深入，新型离子源的不断兴起，刻蚀技术经历了由湿法刻蚀到一系列干法刻蚀的发展过程，其中，离子束刻蚀技术是利用......
分析了射频等离子体增强化学气相淀积(RFPECVD)参数对含氢非晶碳(α-C∶H)刻蚀特性的影响规律.首先,针对射频功率、丙烯流量、反应......
本文采用了碳氟感应耦合等离子体对SiO介质进行刻蚀并通过改变源气体流量比R(R=[CF]/{[CF]+[Ar]})、射频源功率、自偏压等条件对其......
在高功率固体激光装置中,熔石英光学元件有着大量的应用。为了提升熔石英的透光性,往往会在熔石英表面镀制增透膜,但这些光学膜层......
采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分......
由于GaN单晶制备比较困难,通常氮化物光电子器件都是制备在蓝宝石衬底上的,而氮化物和蓝宝石大的晶格失配和热膨胀系数的差别,使得......
反应离子刻蚀是金刚石薄膜图形化的一种有效方法。研究了用O2 及与Ar的混合气体进行金刚石薄膜图形化刻蚀的主要工艺参数 (射频功......
影响ICP刻蚀的工艺参数包括反应室压力，偏置射频功率，氩气流量比率。通过正交试验的方法，以CHF3和Ar的混合物作为反应气体，利用电感耦......
针对重离子辐射的CR - 39固体核径迹探测器中的微观径迹结构特点和剂量特征研究的必要步骤——探测器观测,从CR - 39中粒子潜径迹......
研究了一种应用于微放电器的聚酰亚胺绝缘材料的工艺及性能.分析了聚酰亚胺制备过程中 亚胺化程度以及图形化过程中反应离子刻蚀功......
利用感应耦合等离子体(ICP)进行了InSb刻蚀研究.为了实现高的刻蚀速率同时保证光滑的刻蚀表面,研究中在CH4/H2/Ar气氛中引入了Cl2.......
在MEMS器件加工过程中,采用ICP刻蚀不同深宽比的三维结构时,由于Lag效应的影响,使较大尺寸的线条有较快的刻蚀速率,导致刻蚀深度的......
介绍了二次离子质谱仪(Secondary Ion Mass Spectrometry,SIMS)测试中一次离子束的各参数对测试的影响。研究发现,离子源的选择由......
对多晶硅薄膜晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究,给出了Ta、 p-Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率,通过......
以SFe／O2为刻蚀气体用RIE刻蚀机刻蚀Si．当功率为500W，偏压为250V，气体流量45mL／min．压力分别为2．7Pa、6．7Pa、11Pa时，基片温度的改变对其刻......
采用反应离子刻蚀（RIE）技术，对EPG535光刻胶和碲锌镉（CZT）基体刻蚀工艺进行研究，采用原子力显微镜（AFM）法测试CZT基体刻蚀前后的表面质量，探......
在直立平板电极鞘层内进行了硅粉表面刻蚀,使硅粉的纯度由99%提高到99.97%.提出了鞘区中离子和高能氩原子的平均能量和通量方程,建......
以CH4／H2／Ar为刻蚀气体，对带有SiO2掩膜图形的N型InSb晶片进行了感应耦合等离子体（ICP，inductivelycoupledplasma）刻蚀。研究了不同偏压......
首次报道了HgCdTe焦平面探测器微台面列阵成形工艺的干法技术有关刻蚀速率的一些研究结果.从HgCdTe外延材料的特点出发,详细分析了......
以SF6／C2H4为刻蚀气体，使用Corial200IL感应耦合等离子体（ICP）刻蚀系统，进行Si等离子刻蚀技术研究。通过调节刻蚀气体SF6与侧壁钝化保护......
研究应用O2反应离子刻蚀(RIE)直接深刻蚀商用有机玻璃(PMMA)片,以实现微结构的三维微加工,工艺简单,加工成本较低,为微器件的高深......
介绍了一种刻蚀效果良好的PZT铁电薄膜反应离子刻蚀方法。利用深反应离子刻蚀设备研究了反应离子刻蚀中刻蚀气氛、刻蚀功率及刻蚀......
研究了锆钛酸铅（PZT）薄膜的深槽反应离子刻蚀（DRIE）技术。首先,对比了3种工艺气氛条件下（SF6/Ar、CF4/Ar和CHF3/Ar）刻蚀PZT的效果。实验......
在反应离子刻蚀中,可以通过提高刻蚀功率来提高反应离子刻蚀速率,但此时由于反应气体浓度分布的影响,Si片中央和边缘的刻蚀速率存......
高性能石英玻璃材料及制品是半导体集成电路制造过程不可或缺的关键配套辅材．本文介绍了半导体刻蚀工艺原理、刻蚀过程用石英玻璃材......
低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究对于研究高密度等离子体刻蚀工艺具有重要意义.文中提出了一个二维低气压、高密度等离......
