X射线双晶衍射相关论文
ZnO是继Ⅲ-Ⅴ族GaN之后制作短波长发光器件的候选材料。目前p-i-n结ZnO-LED已初步实现，但是离实际应用还存在一定的距离。究其原因......
自20世纪90年代初GaN基LED研制成功以来，随着技术的发展，氮化镓基LED的性能取得了很多突破性进展，日亚公司于1995年宣布蓝光GaN基LED......
通过x射线双晶衍射图形讨论了SiGe/SiHBT的电学特性与晶格结构的关系
The relationship between the electrical properties and ......
对本实验室用MOCVD方法生长的未故意掺杂的GaN单晶膜进行了结晶性能、电学性能研究.结果表明, 室温时GaN的X射线双晶衍射半高宽与......
用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c平面上外延生长了MgxZn1 xO合金薄膜。在0≤x≤ 0 2范围内薄膜保持着ZnO的纤......
X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响,X射线的相干长度不超过1μm。X射线在异质外延晶体材料内衍射时,不超过相干......
用等离子辅助分子束外延(P-MBE)的方法,在蓝宝石c-平面上外延生长了Mg_xZn_(1-x)O合金薄膜。在0≤x≤0.2范围内Mg_xZn_(1-x)O薄膜......
采用卢瑟福背散射及沟道效应、X射线双晶衍射和光致发光谱三种技术对两类未故意掺杂的 MOVPE生长的 Ga N样品进行综合测试 .它们在......
采用阶跃式 Ge H4 流量增加和温度降低的方法 ,在超高真空化学气相淀积系统中生长了线性渐变组份的 Si Ge缓冲层 ,并在其上生长出......
以去离子水(H2O)和二乙基锌(DEZn)为源材料,生长温度是680℃时,利用常压MOCVD在GaN/A l2O3模板上成功生长了ZnO单晶薄膜,用原子力......
利用超高真空化学气相淀积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统在 ６５０℃生长出表面光亮的 ＧｅＳｉ单晶 在１２００Ｌ／ｍｉｎ分子泵与前级机械系间串接 ４５０Ｌ／ｍｉｎ分子泵，改善了生长环境串接分子泵后生长的......
采用HVPE法,通过改变Ⅴ/Ⅲ生长厚层GaN基片.分别采用X射线双晶衍射摇摆曲线、拉曼光谱及扫描探针显微镜进行生长晶体结晶质量和显......
采用卢瑟福背散射/沟道技术,X射线双晶衍射技术和光致发光技术对几个以MOCVD技术生长的蓝带发光差异明显的未掺杂GaN外延膜和GaN:M......
低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响.测......
利用激光显微光致发光光谱仪测试了碲锌镉晶片的室温显微光致发光谱，对测得的光致发光谱进行拟合得到碲锌镉材料带隙的Eg值，根据实验......
采用常压MOCVD方法在Al2O3(00.1)衬底上生长出了高质量ZnO单晶薄膜.由ZnO(00.2)面和Al2O3(00.6)面及ZnO(10.2)面和Al2O3(11.6)面X......
采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜,使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品.实......
用常压MOCVD在蓝宝石(0001)面上生长了氧化锌(znO)薄膜.用AFM、室温PL谱、Hall测量、X射线双晶衍射、卢瑟福背散射/沟道技术等分析......
采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGalnP/GalnP多量子阱红光LED外延片.以x射线双晶衍射技术和光致发光技术对外延片进行了表......
研究了InP基InGaAsSb外延材料受生长温度和Ⅴ/Ⅲ比的影响。实验中利用高能电子衍射（RH-HEED）监测获得了合适的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,采......
利用分子束外延(MBE) 技术生长了Ge组份为0.1～0.46的Si1-xGex外延层.X射线衍射测试表明,SiGe/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡......
利用MOCVD生长了InGaN:Mg薄膜,研究了生长温度、掺Mg量对InGaN:Mg薄膜电学特性的影响。结果表明,空穴浓度随着生长温度的降低而升......
用高压液封直拉法制备大直径GaP单晶重要的是控制拉制参数，如埚位、氧化硼厚度、热场、晶体坩埚直径比等。实验采用浮舟技术控制晶......
用X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的InGaAs／GaAs量子阱结构材料进行了测试分析。结果表明，在材料生长过程中，深能级的引入严重影响了......
用x射线双晶衍射法（XRD）对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品（004）面进行测试，在所有样品的测试结果中发现，摇摆曲线主峰......
在用X射线双晶衍射研究GaN和ZnO结晶性能的实验中，观察到(102)非对称衍射摇摆曲线的半峰宽比(002)对称衍射更窄以及ZnO(002)摇摆曲......
采用常压金属有机化学气相沉积技术在Al2O3（0001）衬底上生长出高质量的ZnO薄膜.用X射线双晶衍射ω和θ-2θ扫描、室温光致发光研究了......
报道了气态源分子束外延(GSMBE)技术生长的Φ50 mm,Φ75 mm InGaP/GaAs材料的晶体完整性,组分均匀性和表面缺陷密度.用Philips X-P......
以 H2O作氧源, Zn(C2H5)2作 Zn源, N2作载气,以 GaN/Al2O3为衬底采用常压 MOCVD技术 生长了高质量的 ZnO单晶膜.用 X射线双晶衍射......
通过二元系和三元系结构参数计算四元系量子阱结构的晶格常数、禁带宽度等，设计了InGaAsSb／AlGaAsSb结构的MBE生长参数及工艺，利用X射......
利用X射线双晶衍射方法,测定了分布布拉格反射镜(DBR)的衍射回摆曲线,除了DBR主衍射峰("0"级衍射峰)外,还观察到"1"级和"2"级卫星......
以H2O作氧源，Zn(C2H5)2作Zn源，N2作载气，在50mm Al2O3(0001)衬底上采用常压MOCVD技术生长出高质量的ZnO单晶薄膜，用X射线双晶衍射、原......
在共振隧穿二极管（RTD）的MBE生长中，用双生长速率和束流调制技术实现了RTD nm级薄层的精细控制；用X射线双晶衍射仪扫描并分析了典型双......
采用原子力显微镜（AFM）和X射线光电子能谱（XPS）对不同处理流程后的InP（100）表面粗糙度及化学成分进行测试分析，优选出C、O元素浓度较低，且......
采用氢化物气相外延（HVPE）法生长出了高质量的厚层GaN基片。用高分辨X射线双晶衍射仪（DCXRD）及测厚仪对以N2和H2、N2混合为载气生长的......
提出了一种利用X射线双晶衍射测量GaN厚度的新方法。该方法采用GaN积分强度和衬底积分强度的比值与样品厚度的关系来测量GaN外延膜......
分析了GaAs／GaAsAl阴极粘结工艺中应力产生的根源和晶体中的应力对X射线双晶衍射峰的宽度和强度的影响。用X射线双晶衍射仪测量了阴......
利用X射线衍射动力学理论和位错的小角晶界模型,分析了GaAs/Si外延层中位错对X射线双晶衍射摇摆曲线的影响,认为GaAs/Si外延层并不......
首先,本文计算了InN/GaN量子点材料的临界厚度。并利用有限元方法,考虑了InN/GaN材料的六方纤锌矿结构特性,在相同高宽比下,分别计......
学位
光开关是光纤通信系统中光交换的核心器件。传统光开关由于多种不可避免的因素限制了它们的响应时间,而全光开关由于具有良好的光......
GaN基材料的禁带宽度从0.7eV-6.2eV连续变化,其对应的辐射波长覆盖了紫外与可见光区域,因此其材料在航空、军事、民用等领域具有非......
X射线双晶衍射法(XRD)能够分析生长材料的结晶完整性、均匀性、层厚、组分、应变、缺陷和界面等重要信息,同时具有非破坏性、精度......
共振隧穿二极管(RTD)是一种新型二端口负阻器件,有高速和双稳态两大特性。RTD利用了共振隧穿传输机理,使器件的开关速度达到几个ps......
宽禁带Ⅲ—Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长发光器件、短波长激光器、光探测器以及高温、高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用......
学位
利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN∶Mg薄膜,通过改变外延生长温度优化p型InGaN∶Mg表面形貌和电学......
利用金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上生长InGaN/GaN多量子阱结构.对多量子阱垒层掺In和非掺In进行了比较研究,结果表明,......
