电容-电压相关论文
超大规模集成电路的迅速发展,导致器件的特征尺寸在不断缩短,当其特征尺寸缩小到65nm以下或更小时,传统的SiO2栅介质厚度需要低于1......
对两组GaN基白光发光二极管(LED)进行了对比温度加速老化实验,环境温度分别是80,100℃.随着老化温度的升高,电流-电压(I-V)曲线的......
提出了一种更为准确的测量向列相液晶展曲、弯曲弹性常数的C-V方法。以正性液晶材料为例,当沿面排列的液晶分子预倾角不为零时,阈......
以氧化层电荷非均匀分布的MOS结构为例,介绍求解一维任意电荷浓度分布电势的3种方法0x0E?Symbol~B@0x0F0x0E?Symbol~B@0x0F电势叠......
提出了一种基于有机半导体材料制作肖特基二极管的方法,通过真空气相沉积工艺依次将金属铝,酞菁铜和金属铜镀在玻璃基片上.在室温......
高质量的InAs/GaSbⅡ类超晶格(SLs)材料生长在晶格匹配的GaSb衬底上,由于GaSb衬底具有良好的导电性,传统的霍尔测量难以直接得到外......
随着太阳电池技术的不断进步,对其构成材料的性质表征和改良更新,以及对新型结构电池性质表征手段的发展和创新,都是具有重要意义......
对两组GaN基白光发光二极管(LED)进行了对比温度加速老化实验,环境温度分别是80,100℃。随着老化温度的升高,电流-电压(I-V)曲线的......
电能是目前最重要的能源，如何减少电能在传输、转换等过程中的损耗具有重大的现实意义。电力电子技术研究的是电能的输送、转换和控......
为了改进集成电路性能和速度,需要不断缩小器件尺寸,高掺杂且突变的超浅源／漏结的是高性能MOS器件所必需的。但传统的掺杂浓度测量......
