光致发光(PL)光谱相关论文
利用320 kV高压综合实验平台，通过6 MeV Xe离子辐照Eu掺杂氧化镁(MgO)单晶样品对其光致发光现象进行了研究。Xe离子辐照后，样品380~5......
量子阱中能级位置的确定是获得量子阱红外探测器其它设计参数的基础.为了提供足够的载流子跃迁,阱层一般为重掺杂层.重掺杂使半导......
利用热蒸发法以Pt为催化剂制备了SiC微纳米材料,并利用XRD、SEM、Raman、PL光谱等技术手段分析表征样品。发现SiC纳米材料的生长温......
超薄氮化镓(GaN)是一种厚度在纳米尺度的少层GaN薄片,相对于GaN体材料,量子限域效应会使超薄GaN的禁带宽度增大,超薄GaN有望应用于......
ZnO的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,是新一代直接宽带隙半导体材料,并具有十分优异的光电性能。ZnO原材料丰富,成本低廉,......
