掺杂晶体相关论文
目前,无机长余辉发光材料的研究已经取得了长足的发展,国内外研究者已经开发出大量的无机长余辉材料。相比于无机长余辉发光材料,......
Defect energetics and magnetic properties of 3d-transition-metal-doped topological crystalline insul
The introduction of magnetism in SnTe-class topological crystalline insulators is a challenging subject with great impor......
基于周期性密度泛函理论研究了N/Fe共掺杂对锐钛矿TiO2(101)面的修饰作用.计算了铁替位单掺杂TiO2(101)面及晶体内部后,晶体结构变......
高能固体激光器激光棒中过剩热量的建立由于会引起诸如热透镜之类效应往往对激光运转有害。因此，对激光器设计人员来说，热操纵是关键......
波长为1.55μm附近的激光,对人的眼睛是安全的,在光通讯上有重要应用。晶体中Er3+离子通过4I13/2→4I15/2跃迁可以产生该波长的激......
本文确定了掺有 La~(3+)、Ce~(4+)、pr~(3+)、Sm~(3+)、Nd~(3+)的硫酸三甘肽(TGS)晶体的生长条件。测定了晶体中不同稀土离子的掺......
采用掺杂生长了一系列用于大功率ＬＤ泵浦连续激光器倍频的磷酸钛氧钾（ＫＴｉＯＰＯ４， ＫＴＰ）；如：Ｎｂ：ＫＴＰ、Ｎａ：ＫＴＰ、Ｃｅ：ＫＴＰ及Ｒｂ：ＫＴＰ、Ｃｓ：ＫＴＰ等，虽然其中一些具有比 普通ＫＴＰ晶体高的效率和抗光损伤阈......
连续波绿光激光在光数据贮存、彩色显示、医学荧光诊断和光通信等领域具有广泛的应用。上转换方式是实现连续波绿光激光的有效途径......
采用红光对单、双掺铌酸锂晶体中全息光栅的热固定效率及光擦除和暗存储寿命的特性进行了深入的实验研究。实验中高掺杂和强还原晶......
本文用Green函数方法研究了不同类型的杂质对简立方晶体(SCC)(100)面顶位、桥位和心位化学吸附的影响。并讨论了分裂态的产生与吸......
用X-光电子能谱(XPS)研究了掺饵铌酸锂(Er:LiNbO_3 Er.LN)晶体表面铒相对含量沿深度的分布及Er,Nb的结合能。发现掺杂剂铒在晶体表......
本文采用晶体微观结构、电偶极矩均随静水压力变化的模型，满意地解释了掺杂晶体ＣａＣＯ３：Ｍｎ~（２＋）中~６Ｓ态离子零场分裂立方分量ａ及其随静水压变化的关系......
用吸收光谱实验数据和ｄ轨道理论确定了Ｖ￣２＋：ＮａＣｌ和Ｖ￣２＋：ＮａＢｒ中的Ｖ￣２＋－Ｃｌ－（Ｂｒ￣－）键长，结果表明：ＮａＣｌ和ＮａＢｒ中的Ｖ￣２＋－Ｃｌ￣－（Ｂｒ￣－）键长明显小于未掺杂晶格中的Ｎａ￣＋－Ｃｌ￣－（Ｂｒ￣－）离子距离．本文所用的方法不失为一种简单......
根据掺Ｌａ的ＰＷＯ晶体（ＬａＰＷＯ晶体）的透射光谱和发射光谱随Ｌａ浓度的变化特性及其电子顺磁共振（ＥＰＲ）谱，作者认为，掺Ｌａ使晶体产生了新的以（ＬａＰｂ）２／３（ＶＰｂ）１／３ＷＯ４为主的缺陷，ＬａＰＷＯ晶体的透光性......
采用降温法生长出了ＴＧＳ：Ｃｒ￣（６＋）单晶。测定了晶体结构、光谱特性和热释电性质。研究表明，该晶体存在高的内偏压场和光折变效应。
TGS: Cr ~ (6......
用自洽场离散变分Ｘα（ＳＣＦＸαＤＶ）量子化学计算方法研究了碳化钛、氮化钛、氧化钛及碳化钛掺铌等陶瓷材料，讨论了结构、性能与化学键之间的......
详细测量了LiNbO_3:Ti及MgO:Cu两种扩散式光波导的掺杂浓度及折射率剖面,并讨论了折射率变化的理论模型和器件应用。
The doping ......
将掺磷的Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te单晶样品放在不同汞分压中,使其在450℃到600℃温度范围内退火。待样品冷却到室温后测量霍耳效应和迁......
采用未掺杂的GaAs晶体进行了中子嬗变掺杂试验.热退火处理能有效地消除辐照引入的晶格损伤.辐照后的晶体经800℃在氢气气氛下处理2......
一、前言人们所关心的超高速IC及光电IC(?)OEIC的开发正在引人注目,期望GaAs器件的兴旺时代即将来临。但就其实现而言仍有一定的......
一、前言众所周知,锑化铟(InSb)是一种直接的小禁带宽度半导体。其禁带宽度在室温下为0.17电子伏,当用液氮冷却时,可展宽到0.23电......
在高压液封切克劳斯基(LEC)方法生长InP晶体过程中,孪晶出现是一个比较突出的问题。但是选择合理的热场、注意液封剂B_2 O_3脱水条......
以10~(10)～10~(16)/cm~2的剂量向硅晶体中注入氮。700℃热退火后在1.1223eV处(A线)观察到光致发光,而这种效应以前仅在体掺杂晶体中......
利用国产MBE系统外延生长的调制掺杂材料,试制出选择性掺杂晶体管或高电子迁移率晶体管(HEMT)。准增强型器件的跨导为60～90mS/mm。......
近年来对热释电探测器的研究有了重要进展。采用恒温生长的掺杂晶体在宽的频率范围和温度范围内可提高探测率。本文还介绍热释电探......
锗酸铋Bi4Ge3O12(BGO)晶体作为一种优良的闪烁晶体在高能物理与核医学成像方面取得了广泛应用。BGO不仅是一种闪烁材料，而且掺杂后......
Most irradiation studies in the hydrogen bonded ferroelectrics have been concentrated on the transient defects induced b......
采用完全对角化方法，研究了３ｄ＾３态离子＾２Ｅ态能级分裂；在此基础上；用我们建立的中间场能量矩阵，对＾２Ｅ态分裂的三阶微扰解析式Ｄ（＾２Ｅ）进行了验证，结果表明，微......
利用相对论从头目恰计算DV—Xa(离散变化Xa)程序计算LiYF4：Ce^3+晶体的电子结构和f→d电子跃迁谱。分别用镶嵌于微晶(含1938个原子)......
Growth, Optical, Mechanical, Thermal and Second Harmonic Generation （SHG） of N-methyl Urea Doped Ben
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稀土元素、铁族元素、铬、钒、钛和其它许多元素都能进入ZrO<sub>2</sub>晶体,某些杂质的浓度高达10％也不会改变其晶相的均一性。大......
未来信息系统中对存储容量、数据传输速率及数据的存储可靠性的要求将更高,高密度数据存储技术始终是信息技术和计算机技术发展中......
硒化镓及其掺杂晶体光学、倍频及飞秒激光损伤特性的研究非线性光学晶体材料是光电子技术,尤其是激光技术的重要物质基础，被广泛用......
介绍钨酸锌单晶的生长及掺杂各种氧化物对晶体性能的影响,并对ZnWO4:Mg,ZnWO4:Cd,ZnWO4:Sb,ZnWO4:Ti,ZnWO4:Ge,ZnWO4:Ce晶体的发光......
六、七十年代人们就认识到三价金属钨酸盐和钼酸盐包括一批集荧光、激光、压电、铁弹、铁电性质于一身的材料。Ln2（MO4）3被用来表示......
物理气相传输(PVT)法是生长大尺寸、高质量有机晶体的常用方法,得到的晶体通常具有厚度薄,表面平滑等特点。同时PVT法生长晶体在较......
