Ga掺杂相关论文
M-Nb-O负极材料由于其高安全性、高理论容量和优异的循环性能在锂离子电池中得到了广泛的研究。在众多M-Nb-O材料中,FeNb11O29材料......
FeNb11O29由于其高的理论充电容量(400 mAh·g-1),作为锂离子电池(LIBs)负极材料具有很大的应用前景.然而,目前报道的FeNb11O29实......
本文采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶硅(111)和石英玻璃衬底上制备了Ga掺杂ZnO(GZO)纳米薄膜,研究了氧压强对薄膜质量和光电性质的......
本文基于第一性原理平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,对ZnS闪锌矿结构掺入杂质Ga体系进行结构优化处理.计算了该体系下ZnS......
尖晶石型氧化物ZnAl_2O_4具有良好物理化学性质,并且具有良好的力学性能、较宽的活性温度范围,在透光导电材料、陶瓷、催化剂、催......
作为第三代半导体材料,ZnO是一种直接宽带隙半导体,室温禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,因此在半导体光电器件中具有巨大......
随着科技的进步与通信技术的发展,具有质量轻,易于小型化、集成化,同时具有良好热稳定性的微波陶瓷成为近些年通信材料研究的热点......
本文详细研究了Ga取代Sm（R，Mo）12化合物中的部分Fe对其结构和内禀磁性的影响．其中包括：Ga在Sm（Fe，Mo）12化合物中的原子占位，不同Ga取代对SmF......
MgxZn1-xO三元合金材料可以通过调节材料中Mg组分大小实现带隙从3.37eV-7.8 eV可调,同时由于其具备匹配的单晶衬底（ZnO和MgO）,以及其......
氧化锌（ZnO）是一种直接宽带隙半导体材料，其室温禁带宽度为3.37 eV，激了束缚能高达60 meV，使其能在室温或更高温度下稳定存在，因而成为制......
半导体化合物CuInSe2是铜铟硒薄膜太阳能电池吸收层的基本材料,通过对CuInSe2材料的掺杂,可以有效的提高CIS太阳能电池的转换效率,......
δ-Pu为Pu的高温相,掺杂少量的Ga即可使其在室温下稳定存在。为了研究Ga掺杂的影响及其机制,文章采用密度泛函理论方法,对不同掺杂......
采用密度泛函理论广义梯度近似第一性原理计算的方法研究了n型Ga掺杂的纤锌矿结构氧化物ZnO的晶格结构、能带结构和态密度，在此基础......
通过金属有机物化学气相沉积法制备了不同Mg组分的MgxZn1-xO：Ga(x=0,0.03,0.14)薄膜。透射谱中Mgx Zn1-x O：Ga薄膜的光学带隙随x增大......
摘要：通过正交实验设计，对Ga掺杂ZnO导电粉的制备工艺进行优化，确定出其最优参数为：掺杂比2m01％，反应温度85℃，反应时间10h，煅烧温度550℃......
摘要：在密度泛函理论和线性响应的密度泛函微扰理论基础上通过第一性原理计算的方法研究了Ga掺杂ZnO氧化物的热学参数和热学性能。......
通过金属有机物化学气相沉积法制备了不同Mg组分的MgxZn1-xO∶Ga(x=0,0.03,0.14)薄膜。透射谱中MgxZn1-xO∶Ga薄膜的光学带隙随x增......
采用金属有机物化学气相沉积方法生长了立方相Mg0.56Zn0.44O∶Ga薄膜,Ga在MgZnO中的摩尔分数为2.8%~4.5%。低掺杂水平的MgZnO可以......
采用物理热蒸发锌(Zn)粉与三氧化二镓(Ga2O3)粉的方法,制备出不同形貌的Ga掺杂纳米ZnO。利用XRD、SEM、TEM对产物的结构和形貌进行......
本论文采用一种传统的固相合成法制备Ga^3＋掺杂Ni0.5Zn0．5Fe2-xGaxO4（x=0．0，0．1，0．2，0．3）铁氧体材料。采用XRD，SEM，VSM和4285B表征材料的结构和......
为了提高锂离子电池尖晶石锰酸锂正极材料的循环性能和倍率性能,采用柠檬酸辅助溶胶-凝胶法制备了LiMn2–xGaxO4（x=0,0.02,0.05,0.0......
利用化学浴沉积法制备了不同Ga掺杂量的ZnS（ZnS∶Ga）薄膜,并采用热氧化法生长了Ga掺杂ZnO（ZnO∶Ga）薄膜,研究了ZnO∶Ga薄膜的表面形貌......
稀土锰氧化物（RMnO3）由于庞磁电阻、多铁等性质而备受关注,相关研究大部分集中在R=La-Sm材料上。小半径稀土锰氧化合物,其正交相合成......
采用熔融-淬火方法制备了Cu2.95GaxSb1-xSe4（x=0,0.01,0.02和0.04）样品,系统地研究了Ga在Sb位掺杂对Cu3SbSe4热电性能的影响.研究结......
采用磁控溅射方法在普通载玻片衬底上制备了Ga掺杂的ZnO（GZO）透明导电薄膜,并研究了不同生长温度对GZO透明导电薄膜的结构性能、电学......
利用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Ga掺杂的TiO2薄膜,并在真空中于550℃下进行了2 h的退火处理。采用XRD、SEM、UV-Vis和PL光......
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针对目前在理论上还未能解释清楚的ZnO的气敏机理问题，基于第一性原理结合Castep软件包研究了本征ZnO和Ga掺杂改性ZnO （001）面吸附CO......
同为直接宽禁带半导体材料,ZnO比GaN有激子结合能是其两倍多Zn源在自然界中储量丰富、价格便宜、环境友好、抗辐射性能强等优势。......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
分别以Zn粉和S粉为原材料，Ga为掺杂剂，Au纳米颗粒为催化剂，采用低温化学气相沉积法（CVD），在Si（100）衬底上制备了Ga掺杂的ZnS纳米结构。利用......
通过向TiO2粉体中加入质量分数为1%-15%的Ga2O3粉末,制备了Ga掺杂的TiO2陶瓷靶,并采用脉冲激光沉积法（PLD）用陶瓷靶制备出TiO2薄膜,......
氧化锌（ZnO）是一种II-VI族直接宽带隙半导体材料，其室温禁带宽度为3.37eV，具有60meV的激子束缚能，在照明、信息存储、显示等领域具有很......
ZnO薄膜具有非常优异的电学、光学和发光性能,可用于薄膜晶体管、太阳能电池和激光器等光电器件,但本征态ZnO薄膜难以同时具有优良......
近年来，作为一种重要的半导体材料，ZnO纳米结构尤其是一维纳米结构材料引起了人们极大的研究兴趣。ZnO独特的物化性质，使ZnO纳米结构......
采用固相烧结方法制备了纯ZnO陶瓷及GZO（Ga：ZnO）陶瓷。借助拉曼光谱和X射线衍射分别对ZnO陶瓷和不同掺Ga含量的GZO陶瓷进行了测量与分......
期刊
ZnS是Ⅱ-Ⅵ族化合物中一种重要的直接宽禁带半导体材料,室温下其禁带宽度是3.7eV,具有十分优良的光电性能,广泛应用于场发射器、激......
