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MBE生长的垂直堆垛InAs量子点及HFET存储器件的应用
用MBE设备以Stranski-Krastanov生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点,在生长过程中通过对量子点形状、尺寸的控制来提......
期刊
MBE
垂直堆垛
INAS量子点
HFET存储器件
分子束外延
深能级瞬态谱
场效应管
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非挥发存储器
半导体材料
外延生长
砷化铟
self-assem
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