INAS量子点相关论文
通过预先制备的图形化衬底和液滴外延法的结合,利用固体源分子束外延在条纹构图的GaAs (100)衬底上生长InAs纳米结构.发现InAs量子......
研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性,获得了室温1.265μm近红外荧光发光,探讨了与量子点尺寸分布相联系的发光峰随温度的超......
利用分子束外延技术制得结构不同的 InAs 量子点样品，运用原子力显微技术（AFM）表征量子点的大小和浓度，并采用分光法对样品的光致发光......
利用分子束外延技术(MBE)，在GaAs(001)衬底上自组织生长了不同结构的InAs量子点样品，并制备了量子点红外探测器件。利用原子力显微镜......
采用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术生长了InAs量子点及不同组分和厚度的量子点低温盖层, 采用光致荧光光谱（PL）和时间分辨荧光发......
The growth parameters affecting the deposition of self-assembled InAs quantum dots (QDs) on GaAs substrate by low-pressu......
The self-assembled InAs/GaAs quantum dots (QDs) with extremely low density of 8\time10^(6) cm^(-2) are achieved using h......
The optical properties of self-assembled InAs quantum dots (QDs) on GaAs substrate grown by metal-organic chemical vapor......
采用变温及时间分辨光致发光测量手段, 研究了分子束外延(MBE)设备生长的具有不同盖帽层的InAs量子点样品。发现InxGa1-xAs盖帽层......
研究了双层堆垛InAs/GaAs/InAs自组织量子点的生长和光致发光（PL）的物理性质。通过优化InAs淀积量、中间GaAs层厚度以及InAs量子点生......
采用低流量III族Ga束流在分子束外延中低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物。采用高能电子衍射监控衬底表面氧化物清理过程并得出氧化......
本文在处理InAs单电子量子点哈密顿模型时,将自旋-轨道(SO)相互作用作为微扰项,计算在Fock-Darwin本征函数下SO相互作用的矩阵元,......
对镶嵌在SiO2 薄膜中纳米InAs颗粒的Raman散射谱进行了研究 .与大块InAs晶体相比 ,InAs纳米颗粒的Raman散射谱具有相似的特征 ,即......
该文采用MBE生长技术制备了高质量的InAs/InP量子点材料,并对其结构、光学性质等进行了深入系统的分析,取得以下主要成果.(1)在InP......
由于量子点具有独特的类似于δ函数的能态密度函数，以量子点为有源区的光子器件将具有优于传统量子阱器件的性能。InAs／GaAs量子点由......
GaAs基Ga(In)NAs作为一种长波长(1.3～1.55μm)通信用新材料，受到人们的广泛关注，已经成为半导体光电子材料研究中的热点；鉴于GaSb材料......
自组织生长的量子点是一种零维纳米结构，其可以对电子或者空穴在三维方向上进行限制并且易于与Ⅲ-Ⅴ族器件集成，近年来在固体物理和......
14～20μm的甚长波红外探测在太空中有重要应用。本论文工作针对量子点及InAs/GaSb二类超晶格甚长波红外探测器开展了研究。取得的成......
近年来，随着制备高质量自组织量子点技术的发展，半导体量子点在量子光学、量子通信、量子密码术和固态量子调控等领域的研究越来越引......
近年来,由于量子点具有其它体材料所不可比拟的优越性,越来越被人们关注,所以量子点材料的制备和性质的研究,是当今社会最前沿的科......
长波长（1.3～1.55μm）量子点结构由于其潜在器件应用前景而广泛受到重视.在我们已有的实验中发现长波发光的InAs /GaAs自组织InAs岛尺......
信息时代的发展离不开高速、大容量的通讯网络,从而对光纤通讯的发展提出了更高的要求.在光纤通讯的研究中,发光波长在1.3-1.55μm......
该文对分子束外延生长的InAs/GaAs自组装量子点的结构和光学性质进行了系统的研究.第一、利用原子力显微镜考察了不同生长条件(砷......
半导体量子点是半导体领域的研究热点之一，它因具有诸多的量子效应而获得广泛的应用。本文主要研究了Sb对于InAs量子点性能的影响。......
自组装InAs量子点具有生长工艺简单、光学性能优异、易于与Ⅲ-Ⅴ化合物半导体器件集成等显著优点，在新型量子器件的研制中受到了广......
自组织InAs量子点材料不仅在基础物理方面，而且在器件应用方面均具有重要意义。本论文利用分子束外延(MBE) 技术制备了高质量的调制......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
文章主要研究了InAs量子点样品在不同测试温度、激发功率和应变条件下的光致发光(PL)光谱的变化,发现随着测试温度的升高,样品对应......
利用MOCVD外延技术生长InAs量子点材料,通过采用Sb作为表面活性剂,调节所选择InAs量子点材料的生长参数,获得了具有不同尺寸、高密......
利用退火技术 ,实现了在低温 Ga As外延层上 In As量子点的生长 .透射电镜 (TEM)研究表明 ,低温 Ga As外延层上生长的 In As量子点......
在GaAs(100)的衬底上,采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5 ML的InAs层.通过原子力显微镜(AFM)观察,证实已在InAs层中形......
用MBE设备以Stranski-Krastanov生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点,在生长过程中通过对量子点形状、尺寸的控制来提......
利用分子束外延技术（MBE），在GaAs（001）衬底上自组织生长了不同结构的InAs量子点样品，并制备了量子点红外探测器件。利用原子力显微镜（AFM）......
近年来,半导体量子点特别是InAs量子点的基本物理性质和潜在应用得到了广泛研究。许多研究者利用InAs量子点结构的改变以调制其光......
采用变温及时间分辨光致发光谱研究了MBE设备生长的具有不同盖帽层的InAs量子点样品。发现引入InGaAs盖帽层可以使InAs量子点发光......
研究了多层自组织生长InAs/GaAs量子点的PL谱的发光强度、发光寿命及峰值能量的温度特性,发现同一层不同尺寸量子点之间、不同量子......
GaAs基InAs自组织量子点在通信集成光电子以及新兴单光子器件中有着广泛应用,利用分子束外延生长方法获得长波长的InAs/GaAs量子点......
诸如量子阱红外光电探测器之类的子带问探测器在红外遥感中已得到广泛使用。经预测，量子点红外光电探测器的性能比量子阱红外光电探......
采用分子束外延方法,通过RHEED的实时监控在Ga As(001)衬底上外延生长In As量子点.利用改变生长厚度(1.7,1.8,2.0,3.0 m L),结合RH......
用分子束外延系统在GaAs(001)衬底上生长InAs量子点, 在InAs量子点上插入3 nm的In0.4Ga0.6As层, 可将量子点发射波长调谐到1 300 n......
研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性,获得了室温1.265μm近红外荧光发光,探讨了与量子点尺寸分布相关的发光峰随温度的超常......
利用MOCVD外延生长技术,对InAs/GaAs量子点材料的生长参数进行调节,获得了高密度（-5×1010cm-2）的InAs量子点.室温荧光光谱表明,......
研究了内嵌InAs量子点的异质结场效应晶体管在室温和低温下的电学特性,获得了量子点影响下器件的输出特性曲线。在室温下,通过分别......
1.55微米波段GaAs基近红外长波长材料在光纤通讯,高频电路和光电集成等领域有潜在的应用价值。本文用分子束外延方法研究了GaAs基......
诸如量子阱红外光电探测器之类的子带间探测器在红外遥感中已得到广泛使用。经预测，量子点红外光电探测器的性能比量子阱红外光电探......
Optical transition and carrier relaxation in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with InAlAs and I
有分子的横梁取向附生种的 InAlAs/InGaAs 联合帽子层的自我装配的 InAs/GaAs 量点(QD ) 的光致发光(PL ) 系列在不同刺激条件下面......
InAs/GaAs量子点是重要的单光子源,位置可控量子点对实现可寻址易集成的高性能量子点光源具有重要意义.本文详细研究了氢原子条件......
介绍了利用反射式高能电子衍射（RHEED）方法在自组装InAs量子点制备过程中进行结构分析的理论研究与实验工作的最新进展。从反射式高......
