非挥发存储器相关论文
硅基铁电存储器是通过硅加工工艺在半导体集成电路中集成铁电体材料制成的新型存储器。这种新兴的存储器是铁电硅微集成系统 Ｆ Ｓ Ｍ ......
碳基材料如石墨烯、碳纳米管、非晶碳,由于其独特的电学、力学、光学和其他新奇的物理特性,使其在未来纳米电子学器件领域可能有重......
纳米尺度的赝自旋阀结构可在无外磁场的情况下发生电流感应磁化翻转效应，因而在构建非挥发存储器方面有着广泛的应用前景。本文......
本文中建立了模拟电荷俘获型非挥发存储器件性能的自洽的模拟方法，并且应用建立的模拟方法开发了用于模拟电荷俘获型非挥发存储器器......
本文基于我实验室已建立的模拟电荷俘获型非挥发存储器特性的模拟方法，进行了进一步的开发应用。电荷俘获型非挥发存储器近年来受到......
从2001年Intel在IEDM发表第一篇相变存储器的论文到2007年Samsung发表512Mb的PCM实验数据，相变存储器的发展迅猛。Intel甚至在2006......
存储器在半导体市场中占有重要的地位，仅DRAM(Dynamic Random．AccessMemory)和FLASH两种就占市场的15％，随着便携式电子设备的不断普及，......
当集成电路生产工艺节点进入50nm以下,传统浮栅结构的编程擦除速度和数据保持能力已经无法同时满足非挥发存储应用的要求。金属纳......
本文以下一代非挥发存储器的高密度解决方案为中心,针对相变存储器和阻变存储器分别进行了探索性的研究。在评估了相变单元多值存......
铁电存储器是一种具有操作电压低、功耗低、信息保持时间长、写入速度快、抗辐射等优异特性的新型非挥发存储器,非常适合应用于嵌......
Ni O是一种典型的p型半导体,具有良好的光学及电学特性。Ni O同时是现在应用于阻变存储器RRAM研究比较热门的材料。ZnO也是一种重......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
本文较系统地介绍了电学双稳态聚合物基存储器的基本特性和结构,并对聚合物存储器中高低阻态之间相互转换的物理和化学机制进行了......
硅基铁电存储器是通过硅加工工艺在半导体集成电路中集成铁电体材料制成的新型存储器。这种新兴的存储器是铁同集成系统ＦＳＭＩＳ的一个重要......
用MBE设备以Stranski-Krastanov生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点,在生长过程中通过对量子点形状、尺寸的控制来提......
随着便携式消费类电子产品的蓬勃发展,人们对非挥发存储器的容量和集成密度提出了越来越高的要求。为了提高存储器的集成密度,器件......
随着闪存技术即将达到尺寸极限而面临无法等比例缩小的问题,一种基于材料电阻转变特性的电阻式存储器(RRAM)由于其结构简单、可缩......
