I-V测试相关论文
CdZnTe是一种性能优异的直接禁带半导体材料,具有直接跃迁能带结构的功能,改变Zn的百分比x,会有不同的用途。它具有如下优异性能：对......
用LPCVD法在n型6H-SiC(0001)面(Si面)上异质沉积了Si薄膜,通过控制B2H6的流量实现Si薄膜的低掺杂和重掺杂.做成了Si/6H-SiC异质结p......
测试分析了不同辐照、不同温度下太阳电池的短路电流、开路电压和功率的变化，比较了采用短路电流和功率校准后太阳电池电性能的测量......
基于染料敏化太阳能电池发展起来的有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池经过不到5年的快速发展,光电转换效率从最初的3.8%提高到了经过......
光伏行业的爆炸性增长，给太阳能电池测试设备带来大量需求。本论文针对户外太阳能电池测试的需求研发了基于自然光源的便携式太阳能......
本文通过I-V特性的分析与测试上对HgCdTe环孔P-N结进行了研究。主要工作及结果如下： 在理论方面：(1)对HgCdTe线性缓变结作了概述，......
碲镉汞(HgCdTe)材料是目前最重要的红外探测器材料之一,其中以HgCdTe光伏器件为主。光伏型碲镉汞红外探测器为pn结阵列结构,pn结的......
VO2是一种热致相变材料,温度或热辐射强度的变化,会引起VO2的结构相变,研究表明这种变化是可逆可重复无畸变的超高速相变。VO2的相......
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是目前国际制备InSb台面结型焦平面阵列技术的主流技术之一。文章研究采用ICP刻蚀技术,以CH4/H2/Ar......
采用Te溶剂结合改进的垂直布里奇曼法（MVB）制备了In：ZnTe与ZnTe晶体，并对晶体的光学与电学特性进行了表征。通过红外透过显微成像技术......
