II-VI族半导体相关论文
II-VI和III-V族高失配合金半导体是新型高效中间带太阳电池的优选材料体系,但中间带的形成及其能带调控等关键问题仍未得到有效解......
纳米硒化物作为一类重要的半导体纳米材料,在生物标记,太阳能电池,激光器等领域有着广泛的应用。本文综述了硒化物半导体纳米材料......
采用物理气相沉积的方法,在较低的温度下(500℃)制备出高产率的高度有序的单晶氧化锌纳米线阵列.对所制得的氧化锌纳米线阵列进行......
ZnSe是一种环境友好型窄带隙的II-VI族半导体（2.67eV），在光催化过程中可以吸收可见光。ZnO是一种重要的拥有宽的直接帯隙II-VI族半导......
作者采用Zn+Cd粉,制得了大量阵列Cd掺杂ZnO纳米梳子.这些纳米梳子通过X-射线衍射仪(XRD)、X-射线光电子能谱仪(XPS)、透射电子显微......
铜锌族纳米材料在催化、器件、传感器、电池以及生物学等领域有着广泛的应用前景。探索纳米晶新的调控合成方法和形成机制,对于研......
氧化锌(ZnO)具有如下三大优点:首先,它是半导体材料,具有较宽的带隙(3.37 eV)和较大的激子结合能(60 meV),它是一种重要的功能氧化......
低维半导体纳米材料的控制生长是当前纳米科学与技术研究领域的前沿和热点。本文选择典型的II-VI族半导体作为研究对象,采用电化学......
