ZnTe相关论文
太赫兹（Terahertz， THz）技术在工业无损检测、科学研究和军事领域发挥着越来越重要的作用。作为太赫兹产生和探测最常用的电光晶体材......
太赫兹波是介于红外与微波之间的电磁波,处于光子学与电子学的交叉波段。近二十年来,随着光电子学、材料科学的发展,对于太赫兹波......
自从著名物理学家、诺贝尔奖获得者理查德·费因曼在1959年提出“纳米科学与技术”以来,人们对于物质世界的研究逐渐由宏观走向微......
太赫兹辐射(THz)是对一个特定频段的电磁辐射的统称,通常指频率在0.1THz～10THz(波长在30μm～3mm)之间的电磁波,其波段在微波和红外之......
纳米光子学已经成为纳米领域热门的研究方向之一,光子的特性蕴藏潜能和优越性,弥补了电子学的不足。稀磁半导体由于既有半导体特性......
根据光整流效应辐射太赫兹理论,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射性能.通过与〈110〉、〈111〉晶向对比,当晶体方位角为0°......
通过理论计算获得Zn Te/Si(211)与Zn Te/Ga As(211)异质结构样品室温下的热应变分布与曲率半径,并采用激光干涉仪测量两个样品室温......
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)平面波超软赝势(PP-PW)方法,计算了闪锌矿型MTe (M=Zn/Mg)的几何结构、弹性性......
针对光致发光光谱法研究ZnTe:Ti的困难,对包括激发能量、激发功率与激发光斑大小、水汽干扰和测量温度等实验条件进行了细致的优化......
利用真空蒸发的方法制备ZnTe纳米薄膜，用X射线衍射仪、紫外可见分光光度计对薄膜的物相结构、光学特性进行了测试，用冷热探针、薄膜......
利用真空蒸发的方法制备ZnTe纳米薄膜，用X射线衍射仪、紫外可见分光光度计对薄膜的物相结构、光学特性进行了测试，用冷热探针、薄膜......
Characterization and chemical surface texturization of bulk ZnTe crystals grown by temperature gradi
把碲用作溶剂，我们由一个温度坡度答案生长方法在长度在直径和 70 公里种了 30 公里的 ZnTe 铸块锭。在 300 K 进行的霍尔测试显示......
为了优化用温度梯度溶液法(TGSG)生长ZnTe晶体时的生长界面,设计了一种由莫来石圆筒及其内部的圆柱形石墨芯组成的安瓿支撑结构。......
为了优化用温度梯度溶液法(TGSG)生长ZnTe晶体时的生长界面,设计了一种由莫来石圆筒及其内部的圆柱形石墨芯组成的安瓿支撑结构。......
佐贺大学利用ZnTe（碲化锌）试制成功了发光波长为550nm的绿色LED。光线的输出功率与输入电力之比为0．1％～0．2％，“发光效率与同一波带的GaP类......
发展新型修饰电极对构建各类电化学传感器以及拓展新能源电极材料有着重要的科学意义。基于此,本博士论文以高分子聚酰亚胺（PI）和碳......
以ZnO、ZnSe和ZnTe为代表的Ⅱ-Ⅵ化合物半导体和以GaN材料为代表的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料(包括AlN、GaN、InN及其合金)在光电器......
本文通过3d过渡族金属离子掺杂,采用水热法和溶胶-凝胶-旋涂法分别制备了ZnTe基和PbPdO2基磁性半导体,系统研究了ZnTe基和PbPdO2基......
研究了表面处理工艺对ZnTe的Raman光谱的影响,结果表明,ZnTe的LO（Γ）特征峰对表面处理工艺敏感,该特征峰的强度与半峰宽的比值（I/H）越......
研究了Ni、Co单掺杂ZnTe以及Ni-Co共掺杂ZnTe晶体材料的稳定性、磁性性质、能带结构、态密度。结果发现:由杂质替换能分析得到Co掺......
ZnTe晶体因其优异的光电性能而被广泛应用于太赫兹波的产生和探测、激光二极管（LD）、纯绿光发光二极管、光抽运激光器以及光学数据存......
量子点材料由于其优异的发光性质，成熟可靠的制备方法，高质量的粒子形貌特征，介于宏观微观系统的独特尺寸结构特点，无论在基础研究还是......
利用第一性原理平面波赝势密度泛函理论并结合准谐德拜模型计算了闪锌矿结构ZnTe在高温高压下的弹性及热力学性质.得到了绝对零度......
以GaN为代表的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料(包括AlN、GaN、InN及其合金)和以ZnO、ZnSe和ZnTe为代表的Ⅱ-Ⅵ化合物半导体近年来获得了......
ZnTe属于典型Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,为直接带隙,禁带宽度为2.26eV,由于其具有禁带宽度比较大,光子可直接跃迁和可重掺杂等特征,在光......
目前,太赫兹作为一个介于微波与红外之间的全新频段尚未完全开发。传统的太赫兹时域光谱(THz-TDS)系统无法进行基于平行束的实验研......
为了研究Mn、Fe、Co、Ni掺杂ZnTe的电子结构和磁性的相关性质.本文基于第一性原理的数值基组的方法计算了Mn、Fe、Co、Ni掺杂ZnTe......
运用电光采样技术揭示了反应离子刻蚀(RIE)ZnTe晶体表面THz辐射的光学整流产生机制,观察到0·25ps的THz场分布.通过比较刻蚀前后以......
该文采用密度泛函理论的广义梯度近似方法计算了Li原子在II-VI半导体碲化锌中可能稳定存在间隙位置的嵌入能.计算表明,Li原子在ZnT......
利用基于密度泛函理论框架下的平面波赝势法和广义梯度近似,计算分析了ZnTe结构本体、掺入杂质Cu(Zn0.875Cu0.125Te)及Zn空位(Zn0.......
ZnTe和ZnSe都属于II-VI族宽禁带半导体材料，在半导体激光器及各种发光器件等方面有着重要的应用价值和研究意义。由于物质在压力的......
借助抽运_探测技术研究了ZnTe晶体中光学整流产生的太赫兹 (THz)辐射 ,利用ZnTe晶体的线性电光效应探测THz辐射场分布 ,观察到了较......
介绍了以光电应用为背景的大尺寸ZnTe单晶生长技术的研究进展，综述了大尺寸ZnTe单晶不同生长技术的特点及其对单晶性能的影响，重点分......
