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提出新型隔离结构的光寻址电位传感器（LAPS）阵列.该传感器采用P型绝缘体上的硅（SOI）衬底,利用SOI顶硅层中的硅隔离槽结合重掺杂P＋区进行......
随着第三代半导体材料的日渐成熟,以及4H-SiC MESFET的器件制备工艺的完善,4H-SiC MESFET的器件优势日益显著,迅速成为半导体微波......
本文的研究目的是对半导体模拟软件ISE-TCAD进行详细介绍,旨在介绍软件的模拟方法,并利用仿真软件ISE-TCAD对其在室温下的正向伏安......
近年来,碳化硅半导体材料(SiC)不仅表现出自身优良的材料特性,而且具有显著的电学特性,因此受到越来越多的关注。与传统硅(Si)材料......
锑化物具有很高的电子迁移率和电子饱和漂移速度，因此锑化物HEMT成为新一代的超高速低功耗电子器件，在高频集成电路应用方面极具潜力......
