InAs薄膜相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

InAs薄膜相关论文

热循环退火对InAs/Si（211）薄膜结构和电学性能的影响

InAs作为III-V族化合物半导体材料,可以应用于磁阻和霍尔元器件、量子点激光器元件、太阳能电池和红外探测器元件等方面,具有广泛......

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InAs薄膜 Si(211)衬底热循环退火微观结构电学性能 InAs films Si （211 ） substrate thermal cycle

GaSb衬底外延InAs薄膜及光学性质研究

利用分子束外延技术在GaSb(100)衬底上先生长作为缓冲层以降低薄膜失配度的低Sb组分的三元合金InAsSb,再生长InAs薄膜.在整个生长......

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InAs薄膜 InAsSb缓冲层晶格失配晶体质量发光特性分子束外延技术 X射线衍射

InAs薄膜的分子束外延生长与表面形貌及表面重构分析

利用带有反射高能电子衍射(RHEED)仪的分子束外延(MBE)方法,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生......

期刊

InAs薄膜分子束外延反射高能电子衍射扫描隧道显微镜表面重构

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