分子束外延技术相关论文
相变材料在光电开关、智能玻璃、相变储存和忆阻器等方面有着广泛的应用前景。二氧化钒作为一种典型的相变材料,因其在68℃附近表......
本文报道ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能．这种材料由ＧａＡｓ阱和ＡｌＧａＡｓ势垒组成，除内ｎ型掺杂，具有５０个周期．利用分子束外延技术成功地生长......
ZnO薄膜中的高的背景电子浓度能够对p型掺杂形成补偿,从而对p型掺杂造成障碍,了解高背景电子浓度的来源有助于对p型掺杂的研究。本......
氧化物分子束外延薄膜和异质结生长技术近年来迅速发展,人们已实现以单原子层的精度来精确生长多种复杂量子材料,有力地推动了铜氧......
近十年来,分子束外延技术(简称MBE)以其独特的优点在多方面取得了令人注目的发展。本文从六个方面讨论了MBE技术目前的发展情况。M......
三维拓扑绝缘体作为一种具有特殊表面态的新型量子物质态，成为近年物理学及材料学领域研究的前沿学科。拓扑绝缘体材料内部是绝缘体......
共振隧穿二极管（RTD）是迄今为止最具应用前景的纳电子器件，已在放大器、振荡器等模拟电路，多态存储、多值逻辑等数字电路，以及光电开关......
第三代半导体材料ZnO禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，是制备激子发光器件的理想候选。但由于ZnO材料难于实现稳定p型，其进一步......
伴随着科学技术的飞速发展,信息技术已经融入了人们生活中的每个角落。器件是信息技术的载体,功能优异的器件是保障信息技术发展的......
氧化锌(ZnO)具有宽禁带、高激子束缚能、无毒、价格低廉、较强的抗辐射能力等优点，被广泛用于太阳能电池、液晶显示器、传感器等。......
他的名字，我们一般人可能都不太熟悉，但是我们日常生活中各种大大小小的“享受”和“方便”，却都与他的发明成果相连，小如手机里微波电......
由于高频、高速光电子器件发展的需要,器件工作层的厚度及尺寸愈来愈小,已经较成熟的液相外延、汽相外延、真空淀积等薄膜制备方法......
由于2~5μm波段的光在大气中具有较低的吸收系数与散射率,因此其在激光雷达、空间点对点通信、军事目标指示方面具有重要的应用前......
红外探测技术在军事、通讯、医疗等方面具有广泛的应用前景。Ⅲ-Ⅴ族量子阱红外探测器(QWIP)因其制作成本低,大面积均匀性好,操作......
利用分子束外延技术在GaSb(100)衬底上先生长作为缓冲层以降低薄膜失配度的低Sb组分的三元合金InAsSb,再生长InAs薄膜.在整个生长......
对B+注入的n-on-p平面结和分子束外延(MBE)技术原位铟掺杂的n+-n-p台面异质结的碲镉汞(HgCdTe)长波光伏探测器暗电流进行了对比分......
ZnO作为一种直接带隙的宽禁带半导体材料,激子束缚能高达60 meV,更容易实现高效率的激子型光发射和低阈值的受激发射,因而受到了广......
简要介绍了敏感红外辐射的L型探测器的结构和工作原理.利用傅里叶级数理论,给出了一种级数形式的数学模型,并利用MATLAB进行了仿真......
<正> 分子束外延是Ⅲ-Ⅴ族二元化合物和多元合金薄膜的制备技术,十多年来已倍受人们的重视。分子束外延是一种精密的真空蒸发过程......
