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随着大数据时代的来临,互联网信息量迅速增长,要求通信网络向着高速和大容量的方向发展。受传输带宽和功耗等限制,传统的电互联技......
利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器、内光学损耗为2.1c......
半导体材料中杂质和缺陷对半导体器件的性能有重要的影响。随着对材料的结构、力学、化学和电学特性的深入研究,其缺陷控制、杂质行......
基于InAs/GaAs量子点中间带太阳电池(QD-IBSC)结构和载流子漂移扩散理论建立了计算电流密度与静电势的数学模型,从理论上分析了量子......
半导体量子点材料由于其人工原子的能级特点展现出独特的光电特性,被广泛的应用于光电器件,其中一个代表就是分子束外延In As/GaAs......