利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了常规分子束外延和原子氢辅助分子束外延生长的掺杂Si和Be的GaAs同质结构样品中缺陷的电学特性.发现......

本文介绍的正电子深能级瞬态谱（PDLTS）技术是结合了对固体缺陷有很高灵敏度的正电子湮没谱（PAS）和一些深能级瞬态谱（DLTS）技术而成新的实......

材料纯度、生长工艺、退火条件均会影响半导体材料中的杂质或缺陷能级状态,如何精确测量半导体中的能级位置、俘获截面及浓度是进......

寿命控制技术是现在广泛使用的方法,该方法旨在减少快恢复二极管(FRD)基区载流子寿命从而实现更小的反向恢复时间,同时不可避免地......

InP/InGaAs异质结双极型晶体管（HBTs）广泛应用在高频、射频和微波领域中。和InP HBT器件相比,基于Si-CMOS集成后的InP HBTs器件具有......