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在LEC-In P晶体生长过程中,孪晶的产生是一个影响In P单晶率的突出问题。生长高质量、大直径的单晶是当前In P晶体生长的发展方向,......
由于微波器件、InGaAsP/InP DH激光器和发光二极管的发展,人们对于InP单晶中位错显示方法的研究日益深入,这是因为衬底材料中的位......
本文论述了LEC-InP单晶生长过程中出现孪晶现象的机理,实验论证了在大多数情况下孪晶面是由棱上{111}小平面发展而成的。用选择生......