单量子阱激光器相关论文
本文报道了脊形波导结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器的研究成果．我们采用湿法化学腐蚀方法，通过对器件结构参数的优化，制备了性能优越的脊形波导ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子......
报道了低阈值级联双区脊形波导单量子阱激光器的制备，介绍了它的直流输出特性、光双稳特性、光谱波长调谐和高频调制ｐｓ特性。该激光器......
本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性．激光器的室温连续输出功率达到2W．在95℃高温连续工作状态......
针对较常用的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）分别限制应变单量子阱激光器，给出了为得到最大净增益的优化设计参数。对于激射波长为１．５５μｍ的无应变激光器，最佳的光限制层......
采用分子束外延（ＭＢＥ）技术，研制生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明，较高的ＩｎＧａＡｓ生长温......
考虑限制层内的载流子，对两种激射波长相同的匹配单量子阱激光器的载流子溢出和增益特性进行了分析。限制层在提供光学限制的同时，对......
半导体激光器具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、使用方便等许多优点，在泵浦固体激光器、材料加工、空间光通信、高速记录、激光......
采用ＭＯＣＶＤ 方法成功地研制了具有线性ＧＲＩＮ 结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱激光器。该激光器的峰值波长为８１５～８２５ ｎｍ ，阈值电流为１３０ ｍ Ａ。工作电流在４８０ ｍ Ａ 时，单面连续输出光功率......
利用低压－金属有机化学汽相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法研制出ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ单量子阱大功率激光器并分析了阈值电流密度、特征温度和外微分量子效率与腔长的关系．
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对氧化物条型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ大功率量子阱激光器的电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的相关性进行了讨论，指出ｍ，ｈ，ｂ参数可以评价器件质量和可靠性。实......
分析了单量子阱激光器 (SQW- L D)工作原理 ;阐述了载流子和光子在器件内部运动过程中 ,分别限制异质结构和量子阱之间引入过渡态 ......
在国家科委以及863计划新材料领域专家委员会大力支持下,经国务院引进国外智力领导小组批准,中科院半导体研究所材料科学实验室与......
第 1期光电子器件二元衍射微透镜的亚波长结构设计方法陈思乡 ,易新建 ,曾延安 (1)…………………………………………………………......
从分立激光器制造和光电集成角度出发,低阈值电流激光器是非常重要的。主要原因在于低功耗,这一点不但可以得到高可靠性激光器,而......
制成了一种具有一个内镜面的AlGaAs/GaAs单片光电集成发射机,而且用实验证明了它能连续稳定地高速工作。得到这些成功的结果主要是......
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利用液相外延（ＬＰＥ）技术研制出室温连续工作的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制单量子阶（ＳＣＨ－ＳＱＷ）双沟平面掩埋（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器。室温下，腔面未镀膜的激光器最低阈值电流为２３ｍＡ（激光器腔长......
已研制出９８０ｎｍ脊波导赝配ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱激光器。该镜面镀膜激光器的最高输出功率为２４０ｍＷ／面。器件由分子束外延（ＭＢＥ）生长的渐变折射率分别限制异质结量子......
评述半导体激光器的发展动态,包括应变量子阱激光器、垂直腔面发射激光器、可见光激光器、增益耦合型分布反馈激光器及高功率激光......
Y98-61409-59 9913066利用双偏振发射外腔二极管激光器的光生毫米波数据传输=Data transmission on optically generated millime......
量子阱激光器具有优良的性能 ,是宽带通信的重要光源。基于三层速率方程的量子阱激光器模型在明确引入了过渡态的概念后 ,对于量子......
分析了单量子阱激光器 ( SQW- LD)工作原理 ;阐述了载流子和光子在器件内部运动过程中 ,分别限制异质结构和量子阱之间引入过渡态 ......
采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性进行了实验研究.用恒定电流下增益峰波长的温漂系数a......
利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术,研制出了高质量的InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱激光器,其有源区采用了分别限制单量子阱结......
分析了具有缓变折射率分别限制单量子阱的波导特性。用有限差分方法解出了波导对于基模的等效折射率。在此基础上，通过计算波导中垂......
量子阱激光器具有良好的小信号调制频率响应 ,能作为高速光通信光源采用直接调制方式进行信号传输。与普通半导体激光器一样 ,直接......
量子阱激光器具有优良的性能，是宽带通信的重要光源。基于三层速率方程的量子阱激光器模型在明确引入了过渡态的概念后，对于量子阱中......
从InGaAsP单量子阱激光器热效应分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nm InGaAsP单量子阱激光器温度特性进行了研究.实验表明,......
介绍了无铝激光器的优点，利用LP－MOVPE生长出宽波导有源区无铝SCH－SQW结构激光器。该结构采用宽带隙InGaAlP作限制层，加宽的InGaP作波......
采用ＭＯＣＶＤ方法成功地研制了具有线性ＧＲＩＮ结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱激光器。该激光器的峰值波长为８１５￣８２５ｎｍ，阈值电流为１３０ｍＡ。工作电流在４８０ｍＡ时，单面连续输出光功率高达２００ｍＷ，且基本......
本文介绍了ＭＯＣＶＤ生长的高质量ＧａＡｓ和ＡｌＡｓ材料以及（Ａｌ）ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ分别限制单量子阱激光器，ＧａＡｓ材料的７７Ｋ迁移率为１２２．７００ｃｍ＾２／（Ｖ．ｓ），ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ具有均匀陡变的界面，激光器的最大光输出功率为４Ｗ，平均光功率......
采用自行设计的热封闭系统对808nm InGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性进行了实验研究．用恒定电流下增益峰波长的温漂系数a......
分析了单量子阱激光器（ＳＱＷ－ＬＤ）工作原理，阐述了载流子和光子在器件内部运动过程中，分别限制异质结构和量子阱之间引入过渡态（准二维态）的作用及......
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成半导体激光(LD)线阵列的峰值波长为......
从InGaAsP-InP单量子阱激光器结构分析入手，采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP—InP单量子阱激光器热特性进行了研究．实验表明......
本文从时域和频域模拟分析了单量子阱半导体激光器的温度特性，给出了建模方案以及各种模拟分析。结果表明它具有较好的温度特性和较......
本文通过在速率方程中加入Langivin噪声项和相位方程，以定量分析量子阱激光器(QW-LD)噪声特性。这样，能系统地表征量子噪声(尤其是影......
