单量子阱激光器相关论文
针对较常用的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）分别限制应变单量子阱激光器，给出了为得到最大净增益的优化设计参数。对于激射波长为１．５５μｍ的无应变激光器，最佳的光限制层......
采用分子束外延（ＭＢＥ）技术，研制生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明，较高的ＩｎＧａＡｓ生长温......
对氧化物条型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ大功率量子阱激光器的电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的相关性进行了讨论，指出ｍ，ｈ，ｂ参数可以评价器件质量和可靠性。实......
利用液相外延（ＬＰＥ）技术研制出室温连续工作的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制单量子阶（ＳＣＨ－ＳＱＷ）双沟平面掩埋（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器。室温下，腔面未镀膜的激光器最低阈值电流为２３ｍＡ（激光器腔长......
分析了单量子阱激光器 ( SQW- LD)工作原理 ;阐述了载流子和光子在器件内部运动过程中 ,分别限制异质结构和量子阱之间引入过渡态 ......
采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性进行了实验研究.用恒定电流下增益峰波长的温漂系数a......
利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术,研制出了高质量的InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱激光器,其有源区采用了分别限制单量子阱结......
应用MOVPE研制出梯度折射率分别限制GaAs/AlGaAs单量子阱激光器,室温单面连续输出光功率超过500mW,激射波长为820.3nm,并讨论了注......
量子阱激光器具有良好的小信号调制频率响应 ,能作为高速光通信光源采用直接调制方式进行信号传输。与普通半导体激光器一样 ,直接......
从InGaAsP单量子阱激光器热效应分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nm InGaAsP单量子阱激光器温度特性进行了研究.实验表明,......
从InGaAsP-InP单量子阱激光器结构分析入手，采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP—InP单量子阱激光器热特性进行了研究．实验表明......
本文从时域和频域模拟分析了单量子阱半导体激光器的温度特性，给出了建模方案以及各种模拟分析。结果表明它具有较好的温度特性和较......
本文通过在速率方程中加入Langivin噪声项和相位方程，以定量分析量子阱激光器(QW-LD)噪声特性。这样，能系统地表征量子噪声(尤其是影......
