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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）基于其优异的材料性能被广泛应用于高压大功率射频领域,近些年来,增强型器件因可以实现增强型/耗......
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高达650 V额定电压等级的高效、高频转换器中有着......
氮化镓(GaN)宽禁带半导体是当前功率器件领域研究的热门,相比于传统硅基功率器件,AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)具有高击穿电......
氮化镓(Ga N)基高电子迁移率晶体管(HEMT)作为功率开关器件,具有高功率、高频率和高击穿电压等优良的特性,同时可以在高温高辐射等......
GaN基HEMT器件在高频和高功率应用上展示了非常好的特性,但是AlGaN/GaN异质结HEMT器件仍然存在栅泄漏电流较大和电流崩塌效应等问......
