采用3种不同钝化膜制备InSb探测器,测试不同周长/面积比二极管芯片的I-V特性曲线,通过对偏置电压为-0.1 V时的暗电流密度进行比较,......

随着MOS器件尺寸不断缩小,器件内沟道电场和电流密度激增,高电场诱生大量的界面态从而导致器件性能退化。本文研究相同工艺条件下,......

深入分析了影响晶体硅与钝化介质层界面复合的主要因素：界面态密度（Du）、介质层表面电荷密度、衬底掺杂类型及掺杂浓度。研究发现，随着......

氮化镓(GaN)宽禁带半导体是当前功率器件领域研究的热门,相比于传统硅基功率器件,AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)具有高击穿电......

研究了有源层ａ－Ｓｉ∶Ｈ的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ特性的影响．研究结果表明，ａ－Ｓｉ∶Ｈ层的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ的静态特性（如开／关态电流比、阈值电压等）有较大的影响．理论分析表明......