应变补偿相关论文
为分析Q460NH钢的高温变形行为,利用Gleeble-3800热模拟实验机进行变形温度为600～900℃、应变速率为0.01～10 s-1、变形量为60％的热压......
采用Gleeble-3800型热模拟试验机,对Zirlo合金进行等温恒应变速率压缩实验,研究其在变形温度550～700℃,应变速率0.01～10 s-1范围内的......
为了实现GaAs基量子阱半导体激光器更宽的光谱范围,InGaAs/GaAs应变量子阱被广泛应用在量子阱激光器中。同时,应变多量子阱可以实......
本文分析了以压电陶瓷片为作动和测量元件,构成速度负反的闭环控制的"电子阴尼技术"之所以不能大幅度增加结构阻尼的原因.提出了......
针对InGaAs/GaAsP/AlGaAs应变补偿量子阱非对称宽波导结构进行了实验研究。利用不同腔长,100μm发光区,500μm周期的管芯测量了外......
为了降低2μm半导体激光器的阈值电流并提高器件的输出功率,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构,并利用SimLastip软件对器......
采用Gleeble-3500型热压缩试验机研究了变形态2219铝合金在应变速率为0.25~0.8 s-1、变形温度为420~500℃时的流变应力行为,建立了......
期刊
利用金属有机化学气相沉积技术在GaAs衬底上开展了大失配InGaAs多量子阱的外延生长研究.针对InGaAs与GaAs之间较大晶格失配的问题,......
采用Gleeble-3500D热模拟实验机对铸态42CrMo钢进行高温拉伸实验,应变速率范围为0.01～5 s-1,变形温度范围为1000～1150℃,得到铸态42C......
在应变速率0.001~1 s-1、温度573~823 K的条件下,采用Gleeble 3500热模拟试验机对Al-14Cu-7Ce合金进行等温热压缩实验,并根据真应......
基于热模拟试验,在获得变形温度为523~723 K(间隔50 K),应变速率为0.001、0.01、0.1、1 s-1喷射沉积超高强铝合金真应力-真应变数......
采用Gleeble/1500热模拟试验机,在变形温度300~420℃,应变速率0.0005~0.5s-1,最大变形量80%的变形条件下,对稀土镁合金合金进行等......
通过TC4-DT钛合金在1181~1341 K,0.01~10 s~(-1)条件下热模拟压缩试验,得到其在不同条件下高温变形真应力-真应变曲线。采用回归分......
对高锰TWIP钢进行不同温度(850～1100℃)和应变速率(0.01,0.1,1,5,10 s-1)的绝热压缩试验,研究试验钢高温热变形行为.分析了变形温度......
通过Gleeble-1500D热模拟实验机,对铸态30Cr2Ni4MoV钢进行了高温压缩实验,探索了铸态30Cr2Ni4MoV钢在变形温度为900～1200℃、应变速......
利用Gleeble-1500D热模拟试验机研究了双尺度SiCp/A356复合材料在温度460～520 ℃、应变速率0.01～5s-1条件下的热变形行为.根据试验数......
利用Gleeble-3500热模拟试验机对BT25钛合金在变形温度为950～1100℃,应变速率为0.001～1 s-1和最大压下率为60％条件下进行热压缩实验,......
量子级联激光器对光子能量的剪裁是有一定限度的,在高能端,主要是受两种半导体材料的导带不连续量决定.因此要使该类激光器的工作......
利用Gleeble-3500热模拟试验机对Al-Zn-Mg合金进行单道次热压缩试验,获得其在变形温度350～500℃、应变速率0.01～10 s-1下的应力-应变......
期刊
本论文“MBE生长短周期InGaAs/GaAs超晶格VECSELs有源区的结构和退火研究”的内容包括：MBE系统原理与外延材料的表征方法、应变补偿......
薄壁齿环零件是传动结构中必不可少的重要零件。由于其复杂的几何结构，在塑性成形时易出现齿形填充不满、端面裂纹、折叠、材料利用......
该论文在国产固源分子束外延(MBE)系统的基础上,利用新型三温区阀控裂解固态磷源炉,对InAsP多量子阱材料的生长进行了全面的研究.......
由于InGaAs与衬底GaAs之间的失配度比较大，难以获得高质量的外延材料。为了降低由于应变累积而产生的不良效果，本文通过理论推导和模......
InGaAs/GaAs应变量子阱在现代光电材料和器件的应用中具有非常重要的地位。本论文从多个方面对InGaAs/GaAs应变量子阱的生长和性质......
本论文“光泵浦半导体垂直外腔表面发射激光器(OPS-VECSSEL)芯片研制与性能研究”从多个方面对OPS-VECSEL外延增益片的生长与性质......
研究了 Si1 - x- y Gex Cy 三元系材料的应变补偿特性 ,分析了固相外延方法制备的样品中注入离子的分布对应变补偿效果的影响 ,指......
介绍了InP基应变补偿MQW的研究进展 ,对应变补偿和非应变补偿MQW的特性做了对比。讨论了InP基应变补偿MQW存在的问题及如何优化InP......
本文概述了近年来 In As P/ In Ga P应变补偿量子阱的研究与进展 ,从材料结构、界面质量、器件、存在问题及应用前景等方面对其进......
期刊
采用Gleeble-3500型热模拟试验机对Ti-2.7Cu合金进行等温恒应变速率压缩实验,研究其在变形温度740～890℃,应变速率0.001～10s-1范围内......
碳的加入为Si-Ge系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性.文章对Si 1-x-yGexCy合金材料物理特性的研究现状进行了概述,重点分析......
用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)设备生长了AlGaInAs压应变量子阱材料、应变补偿量子阱材料并进行了材料特性的测试，通过二次......
实现了InGaAs/InGaAlAs应变补偿量子阱激光器的室温脉冲激射,激射波长为156μm,阈值电流密度小于185kA/cm2,脊波导结构的激光器最......
碳的加入为 Si- Ge系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性 .处于替代位置的碳可以缓解 Si Ge合金的应变 ,同时调节其能带 .报......
期刊
应变补偿量子阱结构因带宽大、增益高和波长漂移速度低等特点而成为近年来研究的热点。首次介绍了国内980nm高功率InGaAs/GaAsP应......
从理论角度定量地研究了量子点垂直腔表面发射激光器(QD-VCSELs)中GaNAs应变补偿层对InAs/GaAs量子点阵列生长质量的改善作用,得出......
为研究Ti-6Al-4V合金在热成形过程中的力学性能,在923～1023 K温度和0.0005～0.05 s-1应变速率范围内,进行片状试样的恒温高温拉伸试验......
对高锰TWIP钢进行不同温度(850~1100℃)和应变速率(0.01,0.1,1,5,10 s-1)的绝热压缩试验,研究试验钢高温热变形行为.分析了变形温......
为了优化在长距离光纤通讯系统中采用的1.31μm波长的量子阱激光器,对AlGaInAs/InP材料的有源区应变补偿的量子阱激光器进行了设计......
为研究Ti6Al4V合金在热成形过程中的力学性能,在923~1023K温度和0.0005~0.05s1应变速率范围内,进行片状试样的恒温高温拉伸试验,采......
实现了InGaAs/InGaAlAs应变补偿量子阱激光器的室温脉冲激射,激射波长为156μm,阈值电流密度小于185kA/cm2,脊波导结构的激光器最......
基于半导体量子阱激光器的基本理论,设计了合理的1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器结构,通过低压金属有机化学气相外......
为了减小大型应变测试系统中长导线电阻带来的系统误差,提高多种试验切换效率,使系统在测试过程中具有更精确、更高效的特性,提出......
SiGeC三元合金是一种新型的Ⅳ-Ⅳ族半导体材料,其中的碳可以为SiGe合金提供应变补偿,调节能带结构,提高热稳定性,从而有利于高性能......
研究了Si1-x-yGexCy三元系材料的应变补偿特性，分析了固相外延方法制备的样品中注入离子的分布对应变补偿效果的影响，指出由于Ge和C......
报道了基于应变补偿的InP基In0.53+xGa0.47-xAs／In0.52-yAl0.48+yAs分布反馈量子级联激光器．采用二级光栅作为反馈，激射工作波长为7．8......
